机构：预计台积电2030年后采用High-NA EUV量产

集微网消息，英特尔近日收到其第一台ASML的极紫外（EUV）光刻工具，其数值孔径为0.55（高数值孔径），英特尔将在接下来的几年左右的时间里将设备部署到18A后的生产节点。相比之下，台积电并不急于在短期内采用高数值孔径EUV（High-NA EUV），据华兴资本和SemiAnalysis的分析师称，该公司可能需要数年时间，或将在2030年或以后赶上这一潮流。

“与英特尔在转向GAA后不久就使用高NA EUV相比，我们预计台积电将在后N1.4时代使用高NA EUV（可能在N1出现拐点，计划2030 年后推出），”华兴资本分析师Szeho Ng写道。

英特尔积极的制程技术路线图包括从20A（20A，2nm级）开始插入RibbonFET环栅（GAA）晶体管和PowerVia背面供电网络（BSPDN），然后以18A精炼，然后开始使用适用于18A后节点的高数值孔径EUV工具，可提供功率、性能和面积特性以及最低的周期时间。

SemiAnalysis和华兴资本的分析师认为，使用High-NA EUV设备的成本可能比使用Low-NA EUV双图案化的成本更高，至少在初期是这样，这就是为什么台积电为确保低成本暂时不会倾向于使用它的原因，尽管代价是生产复杂性和可能较低的晶体管密度。

台积电于2019年开始使用极紫外（EUV）光刻工具大批量生产芯片，比三星代工厂晚几个月，但比英特尔早几年。英特尔希望通过高数值孔径EUV领先于三星代工和台积电，这可以确保一些战术和战略利益。唯一的问题是，如果台积电在2030年或以后（即比英特尔晚四到五年）才采用高数值孔径光刻技术，是否还能保持其工艺技术领先地位？