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1.SSD产品九个季度以来首次上涨 厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价
2.台积电在中国台湾5年量产计划涵盖2nm及1.4nm工艺
3.业界：先进封装材料需求2024年将大幅增长
4.2023下半年DRAM已涨价20%，NAND价格两个月飙升60%-70%
5.韩国芯片11月产量年增42% 出货量飙升80%
6.英伟达向美光等预付数亿美元，以确保HBM供应
7.国芯科技与埃泰克强强联手，携手推进高端域控芯片的国产化应用
1.SSD产品九个季度以来首次上涨 厂商拟2024年1-3月后持续要求涨价
集微网消息，个人电脑（PC）内置存储设备的价格正在上涨，10-12月期间固态硬盘（SSD）批发价（大宗交易价格）较上一季度上涨9%，这是九个季度以来的首次增长。
数据显示，2023年10-12月期间SSD代表性产品TLC 256GB批发价为每台25.5美元左右、容量较大的512GB价格为每台48.5美元，皆较前一季度（2023年7-9月）上涨9%，也都是九个季度以来（2021年7-9月以来）首度上涨。
报道指出，韩国、美国等存储厂商因市况低迷、业绩恶化，自2022年后半年开始减产NAND Flash，SSD因此供应紧缩。随着供应过剩问题缓解，厂商在最近的价格谈判中强烈要求调涨NAND Flash、SSD价格，且为了改善获利，SSD厂计划在2024年1-3月以后持续要求涨价。而买方虽表示一定程度的理解，但对大幅涨价抱持抗拒，因此今后关注焦点在于调涨幅度多大。
消息人士称，自2023下半年以来，存储芯片价格一直在上涨。虽然DRAM价格上涨较为温和，约20%，但NAND闪存价格在过去两个月飙升了60%-70%。
2.台积电在中国台湾5年量产计划涵盖2nm及1.4nm工艺
集微网消息，台积电已暂定2024年至2029年在中国台湾的生产计划，涵盖2nm，主要在北部宝山和南部高雄的新工厂生产，而中部的台中厂则专注于1.4nm或更先进工艺制造。
消息人士称，仍在建设中的台积电高雄晶圆厂也将作为1.4nm（A14）和1nm（A10）工艺节点的制造基地，暂定于2029年生产。
面对地缘政治风险以及来自英特尔代工服务和三星代工的竞争，台积电持续升级在中国台湾以及海外的产能扩张。
不过，台积电的产能发展策略遭遇诸多外部阻力。在中国台湾的多个项目已调整，除了计划在南科园区（STSP）扩建3nm晶圆厂，在新竹科学园区（HSP）宝山建设2nm晶圆厂，还有在竹南（北部苗栗）扩建先进封装晶圆厂的计划。
例如，台积电位于高雄的新晶圆厂项目最初被透露将包含7nm和28nm晶圆厂。不过，7nm和28nm工艺制造计划已被取消。还有传言称高雄工厂可能会以生产3nm工艺为目标。
台积电还修改了2nm工艺的制造策略，将位于中部科学园区（CTSP）的晶圆厂排除在生产基地名单之外。
此外，台积电还宣布，不会参与政府主导的龙潭科学园区三期扩建。中国台湾地区部门“国科会”的一份报告显示，此案涉及台积电2nm及以下工艺技术的晶圆厂。
此外，据报道，嘉义等城市正在接受评估，因为台积电在新竹科学园区（HSP）铜锣厂区建造先进封装工厂的计划已被修改，该工厂最初预计将于2027年进入商业生产。
台中欲重返台积电2nm生产名单
中国台湾地区行政部门刚刚宣布了最新进展，支持修改科学园第二期扩建的城市设计，以便与台积电合作建设其2nm晶圆厂，其已通过都市规划委员会审核，现正向行政部门报批。一旦法律要求完成，土地购买程序将立即启动，台积电等公司将获得财产来建设设施，以满足产业发展的需要。
业内人士表示，一旦扩展的中部科学园区落地可用，台积电可能会开始评估建立新制造设施来制造2nm或A14工艺的可行性。此时，宝山工厂一期将作为其最初的2nm制造基地，预计到2025年，该工厂的二期工程及其新的高雄工厂将投入生产2nm芯片。
消息人士称，重点是2029年台积电在台中和高雄的制造设施的扩建。这些制造设施还将用于代工厂更先进的A10和A14节点。
消息人士指出，台积电2nm以下的产能将由南科园区、宝山、高雄和中部科学园区晶圆厂来处理。
3.业界：先进封装材料需求2024年将大幅增长
集微网消息，业界人士近期认为，2024年对先进封装材料的需求量会很大，其中长华科技（CWTC）、Niching、崇越科技（TOPCO）、华立（Wah Lee）等集成电路封装材料企业的订单能见度都很高。
日月光本周早些时候宣布，其子公司ASE将收购其全资子公司ASE Test的设施，以提高封装产能。行业观察家表示，日月光可能正在扩大其先进封装产能，以满足2024年不断增长的需求。与日月光合作密切的供应商指出，该公司一直在下订单，为人工智能相关应用的封装和测试提供支持。
消息人士称，CWTC、Niching、Wah Lee和TOPCO提供先进封装和测试材料，包括硅晶圆、光刻胶和基板等。供应商的订单也排到2024年底，他们将于2024年年初开始与客户就2025年的订单进行谈判。消息人士补充，预计总体需求将继续上升。
华立公司表示，AI芯片供应商都在争相确保先进封装产能，目前该公司已获得主要客户的材料订单，该公司11月销售额同比增长23%，环比增长13%。
Niching表示，对支持HPC（高性能计算）的散热器需求一直在增长。崇越科技则加大了对客户位于高雄的先进晶圆厂项目的支持力度，该公司表示，2nm制造工艺将增加EUV光刻胶、坯料和硅晶圆的出货量。
4.2023下半年DRAM已涨价20%，NAND价格两个月飙升60%-70%
集微网消息，业内消息人士称，尽管终端市场需求并未大幅增加，但存储芯片制造商仍在继续提高价格。
自2023下半年以来，存储芯片价格一直在上涨。消息人士称，虽然DRAM价格上涨较为温和，约20%，但NAND闪存价格在过去两个月飙升了60%-70%。尽管如此，终端市场需求似乎并未显著增加。
最近存储芯片需求有所增加，品牌手机供应商是唯一的推动因素。不过，需求是否能够承受2024年第一季度的价格上涨仍不确定。
业内人士表示，手机销量预计已经触底，促使品牌厂商囤积芯片。观察人士预计，明年全球智能手机市场将出现复苏。
手机厂商近期补货的另一个原因是，随着存储市场价格明显上涨，他们倾向于囤积价格较低的芯片。
机构数据显示，2023年第三季度全球智能手机出货量约2.75亿部，同比下降0.6%，而前9个季度的降幅较大。在经历连续9个季度的下滑之后，今年第四季度的出货量可能会同比增长。该机构将2023年全球手机出货量预测修正为11亿部。
存储模组公司对生成式人工智能（AI）需求持乐观态度。例如，针对生成式AI进行优化的高端服务器的需求将呈指数级增长，DRAM和其他存储设备的消耗也将呈指数级增长。
5.韩国芯片11月产量年增42% 出货量飙升80%
集微网消息，韩国半导体行业的产量和出货量均呈现多年来最大增幅，突显出科技行业的复苏势头。
韩国国家统计局12月28日的数据显示，韩国11月份芯片产量同比增长42%，为2017年初以来的最大增幅，出货量飙升80%，为2002年底以来的最大增幅。库存增长了36%，为2月份以来的最小增幅。
这些数据显示，韩国最重要的产业正从拖累经济一年多的低迷中迅速复苏，也为三星电子和SK海力士等韩国最大的两家半导体公司发出了乐观的信号。这些数据还表明，全球科技行业需求的初步复苏可能正在获得动力。
韩国财政部表示，市场对高性能半导体的需求推动了芯片和机械行业复苏。韩国央行预计，今年10月出口恢复增长后，明年韩国经济将在出口进一步增强的支撑下增长2.2%。随着人工智能等新兴技术的需求增加，存储芯片价格开始反弹。
穆迪分析副经济学家Shannon Nicoll在一份报告中指出：“我们预计，随着全球对韩国商品需求的增长，以及韩国高通胀和利率的不利因素缓解，工业生产将会回升。”
6.英伟达向美光等预付数亿美元，以确保HBM供应
集微网消息，英伟达已向SK海力士和美光提前支付数亿美元，以确保高带宽内存（HBM）的稳定供应。近日，三星电子完成了产品测试，并与英伟达签署了HBM产品供货合同。
SK海力士和美光分别从英伟达处收到7000亿韩元至1万亿韩元（约合5.4亿美元至7.7亿美元）的先进内存产品供应预付款。尽管细节并未透露，但业界认为这是英伟达为其2024年新GPU产品确保HBM3e供应而采取的措施。
客户向内存供应商大规模预付款的情况很少见。不过，由于HBM市场需求快速增长，英伟达计划通过主动投资来确保稳定的HBM来源。对于2023年遭受重大损失的存储器供应商来说，要求类似的预付款计划可以改善财务并降低与HBM相关的投资风险。
尽管HBM市场整体短缺，内存供应商仍然面临着巨大的投资负担。提高硅通孔（TSV）工艺的成本和良率是最具挑战性的任务。随着HBM的不断发展，工艺和设备要求发生变化。供应商采用不同的解决方案来解决散热等问题。因此，需要对技术开发进行大量投资，而英伟达以大量预付款形式提供的支持预计将推动内存供应商的HBM投资。
另据报道，三星近期完成了HBM3和HBM3e的产品测试，并与英伟达签署了供货合同。不过，分析人士指出，与英伟达产品测试中使用1b nm（第五代10nm）DRAM的SK海力士相比，三星采用1a nm（第四代10nm）生产HBM3e。这可能需要额外的流程来提高性能，从而导致更高的成本。
7.国芯科技与埃泰克强强联手，携手推进高端域控芯片的国产化应用
近日，苏州国芯科技股份有限公司（以下简称“国芯科技”）与芜湖埃泰克汽车电子股份有限公司（以下简称“埃泰克”）签署了战略合作框架协议，旨在加速推进汽车电控领域高端域控芯片的国产化应用，打造具有国际竞争力的国产化汽车电子解决方案。同时，埃泰克还将与国芯科技在未来新一代高端域控制应用芯片上加强合作。
国芯科技作为国内领先的芯片设计企业，专注于自主嵌入式CPU和芯片的研发，始终坚持“国际主流兼容和自主创新发展”相结合的原则，重点以开源的“RISC-V 指令集”和“PowerPC 指令集”为基础，实现RISC-V和PowerPC两种开源架构互补的自主嵌入式CPU领先优势，主要应用于信息安全、汽车电子和工业控制、边缘计算和网络通信三大关键领域。自主品牌芯片以信息安全和汽车电子为主。汽车电子芯片产品方面，公司目前已在汽车车身和网关控制芯片、动力总成控制芯片、域控制芯片、新能源电池管理芯片、车联网安全芯片、数模混合信号类芯片、主动降噪专用DSP芯片、安全气囊芯片、线控底盘、仪表、辅助驾驶芯片和智能传感芯片等12条产品线进行全面布局，中高端汽车电子MCU芯片已应用于比亚迪、上汽、长安、奇瑞、吉利和东风等著名自主品牌汽车，并在埃泰克的多个模组中获得规模化量产应用，已获得埃泰克2024年新的应用大批量订单。
埃泰克已经基于国芯科技的CCFC3007BC芯片开发域控制器，并计划于2024年二季度完成开发和路试，CCFC3007BC/PT系列是国芯科技自主研发的新一代、基于客户更高算力、更高信息安全等级和更高功能安全等级MCU芯片，具备多核架构，满足ISO 26262功能安全ASIL-B/ASIL-D等级，主要应用在动力总成、底盘控制器、动力电池控制器和高集成度域控制器等方向。
埃泰克是国内车身域电子产品供应商中的佼佼者，产品能力卓越，控制器集成度领先。它不仅拥有业内技术领先的车身域控产品，更是国内少数业务能够涵盖车身域、驾舱域及ADAS域等功能域的本土汽车电子厂商之一，在国内市场上可以与国际汽车电子巨头势均力敌。在核心域控领域，埃泰克更是自主品牌先行者，率先量产左右IO核心域控，实现了整车功能的区域控制。作为本土汽车电子头部供应商，埃泰克年生产销售各类汽车电子产品超千万只，规模优势显著。同时埃泰克也是车规级自主芯片的主力导入者，更拥有丰富可靠的检测能力，且获得国家级工程研究中心的认证。
此次合作双方将秉持“优势互补、互惠互利、风险共担、共同发展”的原则，在汽车电控领域开展广泛而深入的合作。埃泰克将发挥其在车身控制器、域控、新能源三电、中央网关、车联网安全、智能座舱等模组研发、量产方面的优势，国芯科技则将发挥其在汽车电子芯片如MCU、驱动、信号链、传感器等领域的技术优势，双方共同推进汽车电控国产化应用，共同探索和建立长期稳定共赢的商业模式。
未来，国芯科技立足于长期主义，将在汽车电子芯片领域继续坚持“顶天立地”（全力开发目前尚被国际大公司垄断的芯片产品）和“铺天盖地”（积极对标国际大公司丰富的芯片产品群）的发展战略，抓住汽车电子芯片国产化替代的历史机遇，推进资源优化和聚焦，注重产品技术平台化，立足全球芯片产业链的融合，专注自己的特长发展，发挥后来者居上和本地化优质服务的优势，积极解决客户使用芯片产品存在的痛点问题。同时，国芯科技积极建设苏州自主可控智能汽车电子芯片创新联合体，和埃泰克等国内领先企业一起合作实现产业链协同创新，为解决我国汽车产业“缺芯”问题做出贡献。
