英特尔CEO基辛格（Pat Gelsinger）近日受访时指出，英特尔18A制程及台积电N2制程的晶体管似乎差不多、没有哪家具备显著优势，但不错的晶体管、极佳的背面供电让18A制程稍稍领先N2。他还称英特尔将在两年内实现技术领先，未来甚至有希望为英伟达代工芯片。
基辛格表示，英特尔18A制程及台积电N2制程没有哪家具备显著优势，但多数人都说英特尔的晶圆背面供电技术更加优秀，这让硅晶片拥有更好的面积效率、意味着成本降低，供电较佳则代表效能更高。
基辛格称，除了晶体管优势及背面供电让18A制程稍稍领先N2外，台积电的封装成本非常高，英特尔毛利则可望缓步增加。
报道称，英特尔的未来取决于重新获得半导体制造领域的技术领先地位，基辛格相信这将在两年内实现。
基辛格自去年美国通过《芯片法案》后便宣布一连串美国设厂计划，至今申请补助建厂计划的投资总额已超过千亿美元，但仅在11月获得美国政府拨款的3500万美元补助。基辛格称，英特尔正在与芯片法案项目办公室积极合作，以推动补贴计划进行得更快。（校对/刘昕炜）
