四川启动实施集成电路与新型显示重大科技专项

集微网消息，近日，四川省科学技术厅启动实施省先进材料、装备制造、电子信息等六大优势产业领域首批3个重大科技专项——钒钛稀土重大科技专项、轨道交通重大科技专项和集成电路与新型显示重大科技专项，推进关键核心技术攻关、重大创新产品研发、成果转移转化示范。

据悉，钒钛稀土重大科技专项围绕钒钛、稀土两大领域，布局9项重大攻关任务，着力研发15个重大创新产品，突破28项关键核心技术；轨道交通重大科技专项围绕高速铁路、山地齿轨、重大铁路三大领域，布局9项重大攻关任务，着力研发21个重大创新产品，突破13项关键核心技术；集成电路与新型显示重大科技专项围绕集成电路、新型显示两大领域，布局14项重大攻关任务，着力研发15个重大创新产品，突破36项关键核心技术。

其中，集成电路支持方向和重点如下：

嵌入式非挥发性存储器IP研发。

（1）研究内容。开展多次可编程存储技术、单次可编程存储技术、多晶硅栅电熔丝技术等非挥发性存储器的关键技术研究，提高编程速度、擦除速度、数据保持时间等指标。研究标准工艺的嵌入式存储IP设计，适应标准工艺的IP环境，减少额外光罩层次或工艺步骤，可实现快速导入芯片设计。设计并开发符合ISO 26262标准的车规级嵌入式非挥发性存储IP产品，提升其操作温度、高温操作寿命、高温数据保持时间等指标。

（2）考核指标。突破关键技术3项以上，申请或授权发明专利5项以上，形成产品不少于2个，针对汽车电子芯片的需求，在国内主流工艺平台进行车规级验证，技术成果应用于汽车电子相关企业。

（3）有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过800万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。

基于PCI/SATA二合一的高速存储接口COMBO PHY IP核。

（1）研究内容。研究开发符合SATA3.0协议及PCIE2.0协议的多功能高速存储接口COMBO PHY IP核，完成IP授权；形成国外同类替代产品，支持1.5G/2.5G/5G/6G等节点高速数据收发，支持PCS子层功能，具备外信号通讯、低功耗模式切换等功能，符合SATA3.0及PCIE2.0的一致性测试规范电气特性。

（2）考核指标。突破关键技术3项以上，申请或授权发明专利4件以上，形成IP授权不少于5项，技术成果应用于存储主控芯片和数据运算相关企业。

（3）有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过800万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。

四通道射频多功能芯片研发。

（1）研究内容。研究高精度电磁场协同仿真技术，提高仿真精度和设计效率；开展多通道集成MCM芯片设计研究，在实现多功能、高性能情况下，减小封装尺寸；研究新型低功耗高线性度放大结构设计，提高线性度、降低功耗等关键指标；研究高可靠性封装技术，提高高温工作要求下各项指标稳定性。

（2）考核指标。研发多通道集成MCM芯片，突破关键核心技术不少于3项，申请或授权发明专利5件以上，形成产品2个以上，技术成果应用于无线通信相关企业，实现国产化产品供应。

（3）有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过1000万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。

毫米波核心芯片关键技术研究。

（1）研究内容。开展高性能收发通道芯片和电源管理芯片一体化优化设计、宽电压范围CMOS电源管理以及多通道电流采样等技术研究，提高无线通信系统发射机的动态适应范围；研究硅基收发通道高隔离度技术，减少功能模块相互干扰；研究高频段毫米波噪声抑制大功率输出技术，提高灵敏度和可靠性；开展毫米波高功率及低噪声放大技术研究，提升放大器芯片的饱和输出功率，增加射频芯片功率。研制拥有自主知识产权的具有电源管理功能的高功率、低噪声收发前端芯片。

（2）考核指标。突破关键技术4项以上，申请核心芯片发明或授权专利不少于5件，形成产品2个以上，技术成果应用于下一代无线通信企业。

（3）有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过800万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。

高密度、高效率SiC JBS功率芯片制备。

（1）研究内容。针对新能源充电桩等小型化、高效率电源装备领域所急需的高频高压SiC二极管产品需求，开展SiC结势垒二极管器件的大规模制造技术研究，突破高压低导通压降结型二极管载流子输运机理和结构设计优化技术；突破阳极接触、SiC刻蚀、衬底减薄、激光退火欧姆接触等工艺技术，具备开展SiC JBS器件大规模生产制造的技术和能力。从高压低导通压降结势垒二极管结终端设计优化、关键工艺技术开发、器件流片研制与测试三个方面开展系统研究，解决SiC结势垒二极管器件制造技术中阴极制备、器件热管理优化、良率提升等关键工艺瓶颈问题。研发高频高压SiC JBS二极管及碳化硅二极管器件。

（2）考核指标。突破关键技术不少于2项，申请或授权发明专利6件以上，形成产品2个以上，技术成果应用于汽车电子相关企业。

（3）有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过800万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。

功率芯片封测工艺研发与应用。

（1）研究内容。研究高功率密度、无引脚封装结构、低封装损耗和优化散热等封装技术，突破高功率大芯片低损耗技术和热管理技术；研究封装系统电磁兼容与信号隔离、多排阵列框架、大电流低热阻封装技术，实现功率器件低信号延迟、高可靠性、良好传导、低阻抗大电流能力。研究建立具有全面自主知识产权、产品成熟度高的功率芯片研发设计、封测平台，开发电流达300A的汽车功率芯片封测模组。

（2）考核指标。突破关键技术不少于3项，申请或授权发明专利5件以上，形成产品3个以上，产品转化应用于汽车电子相关企业。

（3）有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过300万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。

超高速800G光模块封装测试研究。

（1）研究内容。研究高精度贴装与高集成度混合封装技术，实现自动化光学封装；开发高精度多维光学耦合系统，开展先进耦合算法研究，提高耦合效率；突破光电接口带宽限制，实现基于直接调制方案的低成本单通道200G超高速率数据传输。研制超高速800G光模块等系列产品，包括硅光平台马赫·曾德尔调制器/大功率连续光波激光器，实现并行多路的共享光源架构；研制四通道EML激光器，确保高可靠性气密封装架构。

（2）考核指标。突破关键技术不少于3项，申请或授权发明专利5件以上，形成产品2个以上，实现低功耗、高集成和高速率性能的硅光模块的推广与应用，技术成果应用于数据中心相关企业。

（3）有关说明。拟支持1项，支持专项资金不超过500万元；企业牵头申报，鼓励产学研联合申报，自筹经费与申请专项资金比例不低于2：1。（校对/刘沁宇）