厦门士兰集科微扩产项目节能报告获批 年产30万片IGBT功率器件

集微网消息，5月26日，厦门工信局公布《关于厦门士兰集科微电子有限公司新增年产30万片IGBT功率器件芯片扩产项目节能报告的审查意见》。

审查意见显示，该项目建设单位为厦门士兰集科微电子有限公司，拟于2024年12月投入使用。建设将利用现有12英寸厂房FAB1，在厂房二层和三层预留区域新增生产设备。其中，二层为工艺技术下夹层，三层预留区域主要布置光刻（LITHO）、刻蚀（ETCH）、湿法刻蚀（WET）、扩散（DIFF）、薄膜（TFD/TFM）、离子注入（IMP）等。共计使用建筑面积17748.48m²，工艺面积计4000m²。项目建成后可年产30万片12英寸IGBT功率器件芯片。

审查意见指出，结合专家评审意见，原则同意该项目节能报告。

天眼查显示，厦门士兰集科微电子有限公司成立于2018年，股东包括厦门半导体投资集团有限公司、杭州士兰微电子股份有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司等，经营范围包括集成电路制造、半导体分立器件制造、电子元件及组件制造等。（校对/姜羽桐）