更高速，更简洁：恩智浦和台积电将嵌入式MRAM引入汽车MCU

集微网消息，据eeNews报道，恩智浦和台积电即将联合将汽车MRAM（磁性随机存取存储器）推向市场。目的是将此类存储器采用节省空间的FinFET技术集成到恩智浦的S32汽车微控制器系列中。

根据恩智浦的说法，MRAM可以在大约3秒内更新20MB的代码——比当今的标准技术闪存快得多，后者需要大约1分钟来更新相同数量的数据。恩智浦汽车MCU产品管理高级总监Ed Sarrat解释说，这最大限度地减少了与软件更新相关的停机时间，并使汽车制造商能够消除因模块编程时间长而产生的瓶颈。此外，MRAM通过提供高达100万个更新周期，比闪存和RRAM等其他新兴内存技术高10倍，为汽车任务配置文件提供了一种高度可靠的技术。如果不是即将到来的软件定义车辆(SDV)时代的要求，此功能将使MRAM成为理想选择。

除了比闪存更快的写入速度外，MRAM还大大简化了对内存内容的整个访问过程，Sarrat解释说。与闪存相比，MRAM在写入存储单元之前不需要擦除步骤。与使用Flash的五个连续步骤相比，写入可以一步完成。更重要的是，具有100万次写入/擦除周期的MRAM可以像今天的EEPROM一样使用——但与后者不同的是，它可以集成在芯片上，从而消除了对片外 EEPROM的需求。同样，可以省略外部数据记录闪存。此外，它减少了“保持活动”电路的工作量，作为防止车内掉电的保护措施。此外，MRAM电路可以在1.8V的标准芯片电压下运行，而闪存电路生成写入过程则需要9V。

MRAM还降低了软件的复杂性。因为使用闪存，必须在每次写入之前擦除内存位置，因此不需要擦除调度例程，从而简化了驱动程序和引导加载程序软件。Sarrat解释说，在某些情况下，例如访问查找表、校准数据和类似的不经常更新的数据集，MRAM可以取代SRAM，释放宝贵的SRAM容量用于替代功能。

通过与台积电的合作，恩智浦可以在16nm中实现MRAM。“我们并未宣布特定产品，”恩智浦的Sarrat澄清道。“相反，这个公告是关于我们与台积电的合作。”尽管如此，合作的目标是迟早会实现真正的产品。预计将于2025年上半年推出首批产品。（校对/武守哲）