长鑫存储“半导体结构”专利公布，可提升电学性能

作者：冯一文 2023-05-12

来源：爱集微 #专利# #知识产权# #长鑫存储#

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集微网消息，天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“半导体结构”专利公布，申请公布日为5月12日，申请公布号为CN116110882A。

图片来源：天眼查

专利摘要显示，本公开实施例提供一种半导体结构，半导体结构包括：标准单元，标准单元包括有源区，有源区包括沿第一方向延伸且沿第二方向排布的源区和漏区；位于标准单元上方的第一导电层，第一导电层包括沿第一方向排布且沿第二方向延伸的多条电源线以及多条信号线，其中，一源区或者一漏区与多条电源线中的至少两条电源线电连接。

据悉，本公开实施例至少有利于提升半导体结构的电学性能。（校对／刘沁宇）