芯导科技：公司第三代半导体650V GaN HEMT产品已获取小批量订单

4月15日，芯导科技发布年度报告称，2022年，公司实现营业收入3.36亿元，同比下降29.33%；实现归属于上市公司股东的净利润1.19亿元，同比增长4.30%。

芯导科技称，由于全球经济增长乏力，消费持续疲软，以智能手机为代表的消费电子领域市场规模受到了一定的冲击。受终端消费需求明显下降、下游品牌客户保守采购策略影响，公司产品出货量减少，营业收入较去年同期减少。

2022年，芯导科技根据市场发展趋势、下游客户需求，有计划、有步骤地进行技术开发和创新，扩展现有产品系列，加强对现有产品的更新迭代，保证公司产品的竞争优势和可持续发展；公司作为专精特新“小巨人”企业和重点集成电路设计企业，一直坚持以自主技术创新为基础，坚持技术领先战略，增强公司的研发储备。

在 TVS 产品方面，公司具有深回退特性的低容 ESD 产品，已形成系列化，以多种参数规格，封装类型适用于 USB、Typce-C、HDMI 等多种应用的保护，并实现批量出货。具有深回退特性的低容 ESD，以其超低的钳位电压特性，既满足了目前集成电路产品的超低工作电压保护需求，同时，其低容的特性，又满足了高速信号传输线的保护应用。

最新的超低容值（0.2pF）具有深回退特性的多电压档 ESD 系列产品，目前已经进入工程样品封装阶段。该产品可以为 5G 相关应用，特别是 5G 信号传输方面提供更低的容值和更低的钳位电压等方面性能。

在超低钳位电压、超大泄放电流的 TVS 产品方面，已经开发成功并实现量产，还在向更小的尺寸方向进行升级，同时，为满足未来更高充电功率的设计应用，针对更高充电功率保护产品，已经在开发全新的 TVS 产品。

在 MOSFET 产品方面，中压超低导通电阻和超低栅极电荷的 SGT MOS，已形成 2-8mR，多种封装形式的系列产品，目前已进入推广阶段，在 PD 快充适配器、BLDC 驱动、光伏逆变器、BMS 等多个领域进行验证测试，并有部分产品已经完成验证。

低压超低导通电阻和超低栅极电荷的 MOSFET 产品，已形成 1.6-10mR，多种封装形式的系列产品，并处于推广阶段，部分产品已在终端客户产品应用中实现量产。该类型产品在手机、平板电脑、TWS、PD 快充、笔记本电脑、电动工具、BMS、电机控制等领域都有极为广泛的应用。接下来，还将向多规格、小型化方向升级。

芯导科技指出，公司将完善不同导通电阻和电压规格的 MOSFET 产品，不断拓展新的应用领域，提升MOSFET 产品的市场份额。

在肖特基产品方面，具有超低正向导通压降、大正向导通电流的超小封装尺寸（0.6*0.3mm）的肖特基产品进入推广阶段，目前已实现量产。

同时，正在开发的在小型封装中具有更低正向导通压降的肖特基产品，目前已经完成结构设计，进入流片阶段，正在进行工艺调试。开发成功后，性能将具有业界领先水平。

在 GaN HEMT 产品方面，公司的第三代半导体 650V GaN HEMT 产品已经在多客户的项目中测试和验证通过，并已获取小批量订单。目前，具有 90-250mR 的系列 P-GaN 产品已进入多个客户的项目资源池中，等待客户正式启动项目后进入小批量试运营。此外，中低压 GaN HEMT 产品已经进入开发阶段。

GaN HEMT 产品具有高功率密度、高速度、高效率的功率等特点，在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于传统半导体材料，在快充电源、5G 通讯、智能电网等领域将具有广泛的应用前景。

功率 IC 研发方面，过流过压保护类 IC 产品实现系列化，并在知名品牌的穿戴类产品中广泛应用，获得了良好的口碑；公司进一步加大对充电管理产品线的投入，大电流半压充电 IC 产品已进入流片验证阶段；能够满足消费工业类终端的快充需求，具有高精度、高效率与高稳定性降压型高压大电流系列及升降压大电流系列产品，正在有序推进中；大电流降压 DC-DC 产品具有高效率高可靠性的特点，已扩展到工控领域的应用；为了应对客户日益增长的功耗管理需求，扩展现有产品系列，已进行负载开关等新产品类别的开发；在相关的新能源应用领域，公司坚持第三代半导体 GaN 氮化镓相关器件及驱动控制器的开发, 高整合度驱动器芯片已在客户端完成验证，性能表现良好，目前在等待客户后续项目计划；