英飞凌潘大伟：宽禁带半导体应用拐点来临，大幅扩张产能迎接强劲增长

集微网报道，3月14日，英飞凌召开了“数字低碳、制胜未来”媒体交流会。2022财年英飞凌全球总营收达到142亿欧元，利润率23.8%，均创下历史新高。英飞凌科技全球高级副总裁及大中华区总裁、英飞凌大中华区电源与传感系统事业部负责人潘大伟认为，其营收高增长主要来自提前对低碳化、数字化发展趋势的预判、坚持P2S（从产品思维到系统理解）战略以及从硬件到软件的全栈布局。

谈及碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展，潘大伟认为目前市场应用拐点来临，英飞凌正加紧布局扩大产能，以迎接接下来的快速需求增长。

作为全球领先的半导体科技公司，英飞凌可提供包括硅基器件、碳化硅、氮化镓等多种先进的功率器件及解决方案，助力行业的低碳化发展。不管是在电力系统应用中，还是在新能源汽车应用中，英飞凌的功率半导体扮演着重要角色。

从半导体材料的发展前景来看，硅基半导体由于成本相对较低，仍将是许多应用的首选技术，而以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体，由于材料本身所具有的高频、高压、高功率等优势，蕴藏着庞大的市场潜力。

潘大伟认为，宽禁带半导体应用拐点已来临，非常看好碳化硅和氮化镓市场的发展前景。

“碳化硅能够显著提升新能源汽车的续航里程，或者在相同的续航里程下，大幅降低电池装机量和成本。因此，碳化硅正在越来越多地被用于牵引主逆变器、车载充电机 OBC 以及高低压 DC-DC 转换器中”，潘大伟指出:“碳化硅上车的产业化进程在不断提速”。

氮化镓(GaN)由于具有超凡的开关性能，可助力提高能效并降低系统成本，因此在很多应用场景中有着不可替代的优势，例如，服务器、电信基础设施、无线充电、音频、适配器以及充电器等。

看好碳化硅和氮化镓市场的发展前景，英飞凌正在加紧布局和扩大产能，蓄足力量以迎接未来市场的强劲增长。

去年，英飞凌宣布马来西亚居林工厂投资逾20 亿欧元建造第三个产区，用于扩大碳化硅和氮化镓产能，新工厂计划于2024 年投产。同时，英飞凌对其菲拉赫工厂现有硅设备进行改造，将现有的150毫米和200毫米硅生产线转换为碳化硅和氮化镓生产线，以增加菲拉赫工厂的碳化硅和氮化镓产能。前不久，英飞凌又收购了 GaN 功率转换解决方案的全球技术领导者氮化镓公司（ GaN Systems），收购完成后将进一步加强英飞凌在GaN功率系统领域应用的实力。

“预计到 2027 年，英飞凌的碳化硅产能将增长10倍，届时碳化硅业务的销售额将增长至约 30 亿欧元。”潘大伟透露，“我们的目标是，通过大幅扩展产能，在未来十年内将公司在碳化硅领域的市场份额提高到 30%。”