南砂晶圆已生长出单一4H晶型8英寸SiC 晶体

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近期,在第八届国际第三代半导体论坛召开的“碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术“分论坛上,山东大学教授、南砂晶圆总经理助理陈秀芳带来题为“大尺寸4H-SiC单晶扩径及衬底制备”的主题报告。

第三代半导体产业技术战略联盟消息显示,报告指出,当前8英寸4H-SiC晶体制备难点主要涉及高质量8英寸4H-SiC籽晶制备;大尺寸温度场不均匀和成核过程控制;大尺寸晶体生长体系下气相物质组分输运效率和演变规律;大尺寸热应力增大导致的晶体开裂和缺陷增殖。

在8英寸籽晶制备方面,为兼顾晶体质量及扩径尺寸,研究设计了合适的温场、流场及扩径装配;在8英寸导电型晶体和衬底制备方面,研究优化大尺寸晶体生长的温场和流场设计,进行8英寸导电型SiC晶体生长,控制掺杂均匀性。

在8英寸籽晶制备方面,为兼顾晶体质量及扩径尺寸,研究设计了合适的温场、流场及扩径装配;以6英寸的碳化硅籽晶为起点,进行籽晶迭代,逐步扩大SiC晶体尺寸直到达8英寸;通过多次晶体生长和加工,逐步优化晶体扩径区域的结晶质量,提升8英寸籽晶的品质。

在8英寸导电型晶体和衬底制备方面,研究优化大尺寸晶体生长的温场和流场设计,进行8英寸导电型SiC晶体生长,控制掺杂均匀性。晶体经过粗加工整形后,获得标准直径的8英寸导电型4H-SiC晶锭;经过切割、研磨、抛光后,加工获得520μm厚度的8英寸导电型4H-SiC衬底。8英寸4H-SiC衬底拉曼测试,无6H和15R-SiC等多型,4H晶型面积比例达到100%。

据透露,目前南砂晶圆公司已成功生长出单一4H晶型8英寸SiC 晶体,加工出8英寸SiC晶片。(校对/赵碧莹)

责编: 赵碧莹
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