近日，我们对2021年IEEE完整的各奖项名单进行了盘点，梳理了获奖者中为大家所熟知的名字和企业。
罗伯特 · 诺伊斯奖（IEEE ROBERT N. NOYCE MEDAL）
获奖者：苏姿丰
获奖理由：在突破性的半导体产品和成功的商业战略方面发挥领导作用，这些战略为微电子行业的发展做出了贡献。
IEEE 傅里叶信号处理奖（IEEE Fourier Award for Signal Processing）
获奖者：刘国瑞
获奖理由：表彰其在无线传感和通信信号处理领域的杰出领导和开创性贡献。
IEEE Jack S. Kilby信号处理奖章（IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal）
获奖者：Emmanuel Candès、陶哲轩、Justin Romberg
获奖理由：压缩感测的突破性贡献。
IEEE/RSE 詹姆斯·克拉克·麦克斯韦奖（IEEE/RSE James Clerk Maxwell Medal）
获奖者：胡玲
获奖理由：纳米科学和工程领域的领导者，以及半导体电子与光子学交叉领域的开创性贡献。
IEEE 尼古拉·特斯拉奖(IEEE Nikola Tesla Award)
获奖者：诸自强
获奖理由：对交流永磁电机和驱动器的设计、建模、控制和应用做出的贡献。
IEEE 理查德·卫斯理·汉明奖（IEEE Richard W. Hamming Medal）
获奖者：杨伟豪
获奖理由：对信息论和开拓性网络编码及其应用做出的基础贡献。
IEEE 埃里克·萨姆纳奖（IEEE Eric E. Sumner Award）
获奖者：杨恩辉
获奖理由：对源代码理论和实践的贡献。
IEEE Kiyo Tomiyasu 奖（IEEE Kiyo Tomiyasu Award）
获奖者：韩竹
获奖理由：为博弈论和自主通信网络的分布式管理做出了贡献。
IEEE Electronics Packaging 奖（IEEE Rao R. Tummala Electronics Packaging Award）
获奖者：李金忠
获奖理由：对新的银合金、新的键合方法、倒装芯片互连以及电子封装的教育做出的贡献。
此外，台积电获得了2021 IEEE企业创新奖。
获奖理由为：对于7纳米半导体铸造技术的领导地位，使客户能够在广泛的应用中进行创新。（校对/若冰）
