10月6日，应用材料宣布与英特尔达成合作，双方将围绕下一代AI芯片开展晶体管、互连及先进封装技术研发，以推动面向AI工作负载的先进逻辑制程技术发展。
根据应用材料发布的信息，双方将依托应用材料位于美国硅谷的EPIC Center以及英特尔位于俄勒冈州希尔斯伯勒的研发园区开展合作，重点研究先进逻辑节点所需的材料、工艺技术和器件架构。
具体来看，合作将覆盖晶圆前道和后道工艺，包括互连技术缩放以及先进封装等。其中，双方将重点推进基于英特尔Foveros技术的3D堆叠方案，以满足AI芯片不断提升的互连密度、供电能力和散热性能需求。
应用材料总裁兼首席执行官Gary Dickerson表示，应用材料与英特尔拥有数十年的合作历史，双方将继续通过材料工程推动半导体技术发展。
英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）表示，应用材料是英特尔的重要合作伙伴，双方将在EPIC Center开展合作，加快相关技术从实验室研发向大规模制造转化。
应用材料EPIC Center位于美国硅谷，预计将于今年具备运营条件。该中心旨在缩短半导体技术从研发到量产的商业化周期，为材料、工艺和器件技术提供研发及验证平台。
随着AI计算需求持续增长，芯片性能提升正从晶体管微缩进一步延伸至互连、供电和先进封装等环节。此次应用材料与英特尔的合作，也将围绕这些关键环节展开技术攻关，以满足AI高性能计算平台对更高互连密度、更强供电能力和更优散热性能的需求。
