ASML已获得多家头部芯片制造商对其最新High-NA EUV光刻设备的采用承诺。三星电子计划到2028年将High-NA EUV用于大规模生产，台积电则计划自2030年起导入，加入已经采用相关设备的英特尔阵营。单台High-NA EUV设备价格可达4亿美元。
除High-NA EUV设备外，ASML、台积电、三星和英特尔还就光掩模规格升级达成合作方向，计划将目前行业普遍使用的6英寸光掩模逐步扩大至12英寸，以提高生产效率并降低成本。ASML首席技术官Marco Pieters表示，更大尺寸光掩模有望将High-NA EUV设备吞吐量提升约40%，同时简化芯片设计流程。
台积电此前对High-NA EUV的大规模导入相对谨慎，主要考虑设备成本与生产效率之间的经济性。根据最新规划，台积电计划自2030年开始采用基于现有6英寸光掩模的High-NA EUV系统，并计划与ASML到2031年建成12英寸光掩模测试线，目标是到2033年将12英寸光掩模与High-NA EUV结合导入量产。
三星则计划从2028年开始将ASML High-NA EUV设备用于存储芯片生产，并与产业伙伴共同开发所需的光掩模技术及配套基础设施。英特尔此前已经接收High-NA EUV设备，并参与推动大尺寸光掩模方案超过三年。
ASML目前是全球唯一能够生产EUV光刻设备的厂商。随着先进制程不断演进，ASML预计未来需要采用High-NA EUV的芯片层数将继续增加。High-NA EUV能够减少多重曝光带来的复杂度和成本，而12英寸光掩模有望进一步提升High-NA设备的生产效率。
