据2026年中报信息透露，公司期内营收保持高速增长，但短期仍受研发投入、行业周期等因素影响处于亏损状态。管理层表示，当前国内功率半导体国产替代进程加速，公司坚持“功率器件+功率IC”双轮驱动战略，聚焦四大核心应用场景，技术平台迭代与市场拓展均取得阶段性成果，后续将持续推动规模效应释放，逐步改善盈利水平。
营收增速超40%，功率器件与工业领域表现亮眼
财报数据显示，报告期内公司实现营业总收入1.61亿元，同比增长44.99%；归属于母公司所有者的净利润为-3385.15万元，亏损额较上年同期微增62.76万元；扣除非经常性损益的净利润为-3808.81万元，基本与上年同期持平。期内研发投入达4104.79万元，同比增长16.43%，占营业收入比例为25.50%。
从区域市场来看，境内收入占比达99.02%，为1.59亿元，境外收入仅占0.98%，为157.25万元，主要客户集中于国内工业、新能源、高可靠领域。
按收入结构划分，功率器件贡献8088.08万元收入，占总营收的50.24%，功率IC及相关产品贡献7756.68万元收入，占比48.18%，技术服务收入占比为0.72%。从应用场景来看，工控、新能源、高可靠领域需求拉动显著，超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiC MOSFET等核心产品市场开拓成效突出，高可靠领域已实现对国内龙头企业及重点科研院所的广泛覆盖，工业领域客户渗透率持续提升。从销售模式来看，直销收入占比73.24%，经销收入占比26.76%，客户总量超过600家。
全品类产品布局完善，SiC与功率模块技术实现关键突破
公司围绕“功率器件+功率IC+功率模块”三大方向构建了全覆盖的产品矩阵，聚焦车规级、工业级等高附加值场景，技术平台迭代与新产品落地持续推进，核心产品性能已达到国际同类产品水平，是支撑公司长期增长的核心竞争力。
功率器件方面，硅基MOSFET实现全电压段覆盖，SiC器件技术达到国内领先水平。平面MOSFET覆盖40V~1500V电压段，其中自主研发的快恢复高压MOSFET（FRMOS）采用重金属掺杂工艺，反向恢复特性达到国际先进水平，可有效降低系统功耗和电磁干扰；中低压沟槽型MOSFET针对BMS、电机驱动等场景开发了抗短路能力强的30V~120V SGT工艺平台，适配无人机、服务器、工业控制等领域需求；超结MOSFET完成600V~850V产品系列化，性能对标英飞凌P7系列。第三代半导体SiC器件已建成750V~3300V全电压段生产工艺平台，第4代平面SiC MOSFET技术将1200V SiC MOS比导通电阻降低至2.3mΩ·cm²以下，同时解决了小电流SiC MOSFET ESD耐量弱的行业痛点，产品可通过2kV ESD测试，目前750V、900V集成ESD保护的系列产品已推向市场，适配OBC、电机驱动、储能等新能源核心场景。
功率IC方面，电源管理与电机驱动两大产品线实现多场景覆盖，车规级产品认证取得进展。电源管理IC完成反激、正激、半桥、推挽、全桥、移相全桥等全隔离拓扑系列化布局，其中移相全桥控制IC已通过AEC-Q100车规级认证，±150V耐压的理想二极管控制IC为目前国内外最高耐压等级产品，适配72V、96V电池系统应用；非隔离DC-DC、浪涌抑制控制IC、高边开关控制IC等新品已进入量产阶段。电机驱动IC方面，推出65V三相半桥驱动IC适配电动工具领域，250V三相半桥驱动IC覆盖无人机、工业伺服、低速车市场，SiC MOSFET专用半桥驱动IC已量产落地。
功率模块作为“功率器件+功率IC”融合的核心产品线，已成功切入电机驱动与工业控制市场。公司推出500V~600V集成2A-6A FRMOS的IPM模块、650V集成10A SiC MOS的IPM模块、100V集成10A SGT MOS的IPM模块，可为客户提供高性价比的整体解决方案，缩短客户研发周期。同时公司研发成功适配SiC MOSFET的固态继电器专用光电转换驱动IC，已成功应用于储能、新能源汽车领域，新一代大电流驱动产品正在研发中。
产能方面，公司采用Fabless经营模式，已与国内多家晶圆代工厂建立深度合作关系，重点产品产能持续扩充，12英寸晶圆产线已开发系列中低压SGT MOSFET。截至报告期末，公司累计拥有授权专利153项，其中发明专利112项，集成电路布图设计专有权135项，可靠性实验室及失效分析实验室正在高标准建设中，车规级产品研发与交付能力持续提升。
短期亏损压力仍存，长期受益于国产替代趋势
公司当期毛利率为34.04%，较上年同期下降1.5个百分点，主要原因是上游晶圆、封测成本刚性上涨，同时为扩大产能加大备货导致单位成本有所提升。公司正在推进供应链资源整合，开发关键FAB及封测供应商，丰富供应链储备并实现成本优化，后续随着规模效应释放，毛利率有望逐步回升。期内实现归属于母公司股东的扣非净利润为-3808.81万元，亏损主要源于持续高强度研发投入以及行业周期性因素影响，目前公司已实施降本增效措施，优化运营管理效率。
业绩展望方面，管理层表示当前功率半导体行业正处于政策红利、市场需求、技术迭代多重红利叠加的战略机遇期，AI算力中心、新型数据中心、新能源汽车、储能等新兴领域为功率半导体产业开辟了全新增长空间，高压、大功率器件需求持续刚性增长。公司将紧抓国产替代机遇，重点拓展新能源汽车、工业自动化、智能家电等高需求下游市场，推动系统化解决方案销售，从单一产品供应升级为整套芯片解决方案，持续优化客户体验。报告期内公司正在推进收购晶艺半导体有限公司事项，力求通过产品品类、研发技术、客户资源及运营管理等多维协同，进一步提升综合竞争力。
长期战略层面，公司将持续聚焦功率半导体核心主业，紧跟SiC、GaN等第三代半导体技术前沿与产业政策导向，稳步推进募投项目建设，计划到2028年完成智能功率半导体、SiC功率器件两大研发升级项目及功率半导体研发工程中心升级项目，构建覆盖各功率段的系统化芯片解决方案能力，致力于成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。
