积塔半导体牵手英飞凌:聚焦嵌入式非易失存储,车规级代工能力再升级

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日前在上海举办的“共创价值、协同增长”2026半导体技术创新研讨会期间,积塔半导体与全球功率半导体龙头英飞凌正式签署项目合作协议。双方将围绕嵌入式非易失存储(eNVM) 等领域深化技术协作,共同推动特色工艺代工能力升级。

本次研讨会汇聚了来自汽车、具身智能、芯片设计等领域的260余家产业链伙伴。联合电子、傅利叶集团、复旦大学等单位的演讲嘉宾分别围绕新一代电子电气架构、具身智能、新型存储器件等前沿话题分享了见解。与会各方一致认为,代工行业的竞争已从产能与价格转向方案化服务能力,产业协同将成为未来发展的核心动力。

积塔半导体目前已建成上海临港、徐汇两大生产基地,并已通过德国汽车工业质量标准A级审核,成为具备完整车规级芯片制造资质的特色工艺代工厂。公司在车规级SiC MOSFET、高压IGBT、先进BCD及40/28nm逻辑工艺等领域实现关键突破。

在存储技术方面,积塔半导体已形成eFlash、SONOS、RRAM三条路线并行,为客户提供多元化选择。此次与英飞凌合作引入的SONOS技术,以其工艺兼容性好、集成成本低、量产数据充分的特点,进一步丰富了积塔在高可靠且成本敏感场景下的解决方案。

会上,积塔系统介绍了CMOS与BCD工艺平台的发展布局,明确提出构建方案化代工能力的技术路径。依托持续完善的工艺体系,积塔可向客户提供“存储+控制+驱动+功率”的一站式代工服务,实现从单一工艺优势到方案化平台能力的跃升。

业内人士指出,积塔与英飞凌的此次合作,不仅是两家企业技术能力的互补,更反映了特色工艺代工领域从“产能填充”向“技术协同”的深层转变。随着汽车电子、具身智能等应用对高可靠、定制化芯片需求的爆发,具备方案化服务能力的代工厂将在下一轮竞争中占据主动。

责编: 张轶群
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