硅片及硅材料在半导体产业链中处于上游核心环节，是制造集成电路、分立器件、光电器件、传感器等半导体产品的关键基础材料。硅片占据芯片总成本的30%-40%，是半导体材料中市场份额最大的品类，其质量直接影响芯片的性能和良率，对下游半导体器件的生产起着决定性作用。全球半导体硅片市场整体呈现“寡头垄断”格局，但国内企业也在持续推进国产化进程。近日，TCL中环、神工股份、有研硅、上海合晶发布2025年公司年报发布。通过上述几家企业年报可以窥见，在AI、新能源汽车等终端需求推动下，我国半导体硅片及硅材料行业正处于“国产化加速、结构升级、技术攻坚”的关键阶段，未来，大尺寸产品的技术突破、高端客户的认证突破、成本控制能力的持续优化，将成为企业竞争的核心焦点。
营收、盈利、研发财务指标透视
从营收体量来看，TCL中环半导体材料业务（半导体材料业务约占营收19.64%）依然处于规模化领先地位，2025 年实现半导体材料营业收入57.07亿元，同比增长21.75%，产品出货超1200MSI，营收及出货量稳居国内行业前列。有研硅营收10.05亿元，同比微增0.93%，业务覆盖半导体硅抛光片、刻蚀设备用材料等多领域，表现出较强的抗周期能力。上海合晶和神工股份营收规模相对集中，分别实现13.11亿元和4.38亿元营收，同比增幅分别为18.27%和44.68%，其中神工股份凭借硅零部件业务的爆发式增长，营收增速在四家企业中领跑。
盈利表现方面，行业周期性特征和业务结构差异导致盈利水平分化显著。上海合晶和神工股份实现盈利增长，上海合晶归属于上市公司股东的净利润1.25亿元，同比增长3.78%，扣除非经常性损益后的净利润1.17亿元，同比增长 8.53%，核心产品硅外延片毛利率保持在 30.13% 的较高水平。神工股份归母净利润达1.02亿元，同比大幅增长147.96%，受益于下游需求回暖及规模效应显现，毛利率提升至59.37%，其中16英寸以上大直径硅材料毛利率高达 76.09%。有研硅则面临盈利压力，归母净利润2.09亿元，同比下降10.14%，扣非归母净利润1.30 亿元，同比降幅达20.55%，主要受行业竞争及产品结构调整影响。TCL中环半导体材料业务虽保持增长，但受行业整体环境影响，一定程度上影响了盈利表现，不过其半导体材料业务毛利率达18.94%，同比增长5.7个百分点，盈利能力稳步改善。
研发投入是技术密集型行业的核心竞争力，四家企业均持续加大研发力度。TCL中环研发投入规模最大，2025年研发投入10.60亿元，占营业收入比例3.65%，累计有效授权知识产权达4763项，覆盖大尺寸硅片、BC 电池组件等领域。有研硅研发投入强度最高，研发费用9241.43万元，占营业收入比例达 9.19%，较上年提升1.33个百分点，重点推进8英寸区熔气掺硅片、MCz 新品等技术研发。上海合晶研发投入1.14亿元，同比增长14.30%，研发投入占比8.71%，报告期内申请专利50项，累计拥有境内外发明专利 34 项、实用新型专利221项。神工股份研发费用3341.42万元，同比增长33.61%，研发投入占比7.63%，新增发明专利6项、实用新型专利9项，在大直径硅材料制备、硅零部件加工等核心技术上持续突破。
三大发展趋势逐渐成形
四家企业的年报共同勾勒出 2025 年国内硅片及硅材料行业的三大发展趋势，行业正从规模扩张向高质量发展转型。
国产化替代进程持续提速，本土企业市场份额稳步提升。受益于国内半导体产业链安全需求及海外技术出口管制收紧，本土客户加速推进国产供应商认证，为国内硅片企业提供了广阔市场空间。神工股份硅零部件业务收入同比增长100.15%，进入国内主流存储芯片制造厂及等离子刻蚀设备供应链；上海合晶 12 英寸外延片销量同比增长83.03%，成功向安森美、华虹宏力等头部客户批量供货；TCL 中环半导体材料海外市场销量增长超 2 倍，中东及菲律宾的投建项目循序推进，全球化布局与国产化替代形成互补。国内企业在 8 英寸成熟制程领域已实现规模化替代，12 英寸先进制程领域也逐步打破国际垄断，国产化替代从“单点突破”向“全面开花”演进。
产品结构向大尺寸、高附加值升级，成为行业增长核心驱动力。12 英寸硅片因适配先进制程芯片制造需求，成为企业竞争的核心赛道。上海合晶郑州基地规划新增90万片/年12英寸衬底片和72万片/年12英寸外延片产能，12 英寸产品已实现低压模拟芯片与中高压功率器件全覆盖；神工股份 16 英寸以上大直径硅材料收入占比提升至56.72%，成为营收增长的核心引擎；TCL中环G12系列大尺寸硅片出货量同比增长40.8%。同时，车规级IGBT 外延片、轻掺低缺陷抛光硅片、CIS 传感器用外延片等高附加值产品需求凸显，推动行业整体盈利水平提升。
技术研发聚焦关键环节，产业链一体化布局成核心壁垒。行业技术密集型属性凸显，企业研发重点集中在大尺寸晶体生长、精密加工与缺陷控制、特殊工艺产品研发等领域。上海合晶掌握砷、磷及硼元素重掺及轻掺的长晶核心技术，具备从晶体成长到外延生长的全流程生产能力；神工股份突破无磁场大直径单晶硅制造、固液共存界面控制等核心技术。一体化布局不仅降低了供应链风险，更通过工艺协同优化提升了产品良率和参数一致性，成为本土企业突围国际竞争的关键抓手。
发展路径各有侧重
面对行业发展机遇与挑战，四家企业基于自身优势制定了差异化发展战略，形成了各具特色的竞争格局。
TCL 中环致力于打造综合材料供应商。公司坚持“国内领先，全球追赶”战略，依托半导体硅片出货量国内领先的规模优势，通过精益制造和供应链优化实现极致成本控制，硅片工费同比下降超40%。技术研发聚焦大尺寸和高效能产品，累计授权知识产权4763项，强化技术壁垒，同时依托半导体材料领域的技术积累，实现多业务协同发展，提升抗周期能力。
神工股份通过一体化优势在细分赛道突围。公司深耕刻蚀用硅材料细分领域，大直径硅材料产品覆盖14-22英寸全规格，在全球细分市场处于优势地位。核心战略是构建“材料+零部件”一体化制造体系，从大直径硅材料到硅零部件的全流程管控，为国内等离子刻蚀设备厂和存储芯片厂提供定制化解决方案。
有研硅依托国家企业技术中心、集成电路关键材料国家工程研究中心等平台优势，形成覆盖半导体硅抛光片、刻蚀设备用材料、区熔硅单晶等多产品体系，兼顾成熟制程与先进制程需求，6-8 英寸半导体硅抛光片稳定供货，12 英寸产品通过参股公司推进产能爬坡，重点推进“超越摩尔”与“扩展摩尔”相关技术，致力于从“硅材料细分领域”向“半导体核心材料与部件综合供应商”发展。
上海合晶则在差异化的外延片上发力，做强功率器件8英寸的同时发展12英寸，8 英寸外延片在电阻率均匀性、表面质量等指标上达到国际先进水平。上海晶盟48万片/年12英寸外延片产能稳定运行，郑州基地新增产能将进一步提升市场份额，CIS和Logic芯片用外延片完成送样。通过国产化替代和工艺优化实现降本增效，巩固差异化竞争优势。
