标题：2025第二届中国卫星开发者论坛暨商业航天产业技术交流峰会圆满落幕 摘要： 本次2025第二届中国卫星开发者论坛暨商业航天产业技术交流峰会在上海成功召开。活动期间，吸引了来自国内外的27家演讲机构和261位行业精英参加。会议聚焦于卫星量产技术、卫星热控、卫星互联网、卫星通信、卫星遥感测绘与导航、火箭技术、先进热管理材料等技术。 亮点： 1. 商业卫星产业发展现状及趋势 2. 成本约束驱动的航天元器件质量保证体系研究 3. 巨型星座高性价比姿控系统关键技术及应用 4. 空间站建设和发射技术 5. 卫星遥感、测绘技术 6. 深度探索卫星工业的新机会与挑战 7. 科技创新与行业合作 总结： 本次论坛的成功举办，不仅展示了我国卫星工业的繁荣与发展，也推动了相关技术的研究和发展。同时，论坛也为各行业的交流提供了良好的平台，促进了全球范围内的技术交流与合作。

近日，清华大学撤下6位院士简历。其中，施一公、颜宁、薛其坤、李蓬、陈晔光和程津培6位院士在南开大学辞职。这些辞职的原因可能是人事关系不在清华大学，学校网站上的院士简历信息被下架。不过，清华大学院士信息版块还有以下人员在其他高校任职，但这次没有撤下这些院士，是否说明人事关系还是在清华大学？

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北京理工大学光电学院许廷发教授科研团队在红外弱小集群目标检测方面取得新进展，研发出一步式Transformer检测方法，成功应用于城市、山地等复杂背景下对低空无人机单目标和集群目标的精准检测。

2025年11月25日，第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议系列活动——宽禁带半导体国际青年人才创新发展论坛在郑州中原国际会展中心成功举办。本次论坛旨在面向宽禁带半导体领域的青年科研人员与学者，展示前沿成果、激发创新思维，为青年人才的学术成长与合作交流搭建高水平平台。 来自国内外知名高校、院所及企业的十余位海内外学者与业界专家先后发表报告，内容涵盖SiC粉体合成、单晶生长、衬底加工、超精密制造、金刚石加工、MEMS传感器、异质结光电性能、缺陷无损检测以及市场前景分析等多个前沿方向。张楠北京理工大学光电学院副院长，教授主持，雷云四川大学研究员，演讲主题为《硅-稀土溶液法低温快速合成高纯SiC粉体以及生长高质量SiC单晶》。 报告详细介绍了新型硅-稀土溶液法低温快速合成高纯SiC粉体及生长高质量SiC单晶的技术原理，展示了其高效、低成本的特点，为企业提供了一种新的碳化硅新材料的研发途径。报告强调，硅-稀土溶液法可以实现碳化硅粉末在低温条件下的快速合成，提高产品的纯度和性能，同时也降低了研发的成本。 张福生青岛理工大学副教授，演讲主题为《4H-碳化硅单晶近自由态生长方法研究》。报告介绍了为解决传统固相法合成碳化硅存在的高温、高能耗及原料要求严苛等问题，研发的一种创新硅-稀土溶液法。该方法通过添加Ce、Eu等稀土作为助溶剂，显著提升了碳在硅熔体中的溶解度，从而在约1550℃的低温下，通过液相反应在数小时内即可合成纯度接近99.999%的碳化硅粉体，并可利用成本较低的块状硅原料。此外，通过调控溶液成分，该方法还可以进一步应用于生长高质量碳化硅单晶，能在1600℃以下实现每小时数百微米的较高生长速率，有效抑制晶体缺陷。该技术具有低温、快速、成本较低的优势，为高性能碳化硅材料的制备提供了新路径。 张福生山东师范大学副教授，演讲主题为《半导体衬底加工技术实现SiC MOSFET导通及开关损耗最高30%的优化》。报告详细介绍了为解决传统物理气相传输法生长碳化硅单晶时出现的边缘生长过快、易产生杂晶与热应力等问题，所提出的一种“近自由态生长方法”。该方法通过主动调控生长腔体内的物质流场，引导部分升华组分回流至特定区域，从而抑制晶体边缘异常上翘，使得晶体能够自然暴露出稳定的(10ī0)晶面，实现了对生长前沿的稳定控制。基于此方法，成功制备出了8英寸碳化硅单晶，其晶片应力分布均匀，位错密度可低于500/c㎡，X射线衍射摇摆曲线半高宽平均值低至14弧秒，晶体质量显著提升。这种生长策略为获得高质量、大尺寸碳化硅单晶，并降低生产成本提供了新思路。 以上论文涵盖了碳化硅领域的多个前沿技术，包括硅-稀土溶液法、近自由态生长方法、晶体生长、掺杂、电击、热处理等，旨在为宽禁带半导体领域的青年科研人员与学者提供最新的科研资讯和技术创新建议。