【中国IC风云榜最具成长潜力公司候选2】纳能微：专注先进工艺高速SERDES IP核国产研发

作者：图图

2020-12-09

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【中国IC风云榜最具成长潜力公司候选2】纳能微：专注先进工艺高速SERDES IP核国产研发

【编者按】2021中国IC风云榜“年度最具成长潜力奖”征集现已启动！入围标准要求为营收500万-1亿元的未上市、未进入IPO辅导期的半导体行业优秀企业。评选将由半导体投资联盟129家会员单位及400多位半导体行业CEO共同担任评选评委。奖项的结果将在2021年1月份半导体投资联盟年会暨中国IC 风云榜颁奖典礼上揭晓。

本期候选企业：成都纳能微电子有限公司（以下简称“纳能微”）

作为国民经济的战略性、基础性和支柱性产业，集成电路产业极其重要，加快发展已经成为全社会共识。IP核技术作为集成电路产业中芯片设计必不可少的一项技术，受到了颇多的关注。目前，IP核高端市场基本被美国、英国垄断，本土化率也是较低。因此，加速发展国内IP核产业，满足国内集成电路设计业需求迫在眉睫。

纳能微成立于2014年，是一家聚焦先进工艺高速SERDES接口的IP核企业，专注于集成电路IP核的自主知识产权研发和持续创新，拥有PCIE，USB3.1/USB3.0/USB2.0，JESD204B，GVI及下一代高速串行数据传输IP核等多项核心技术。

目前，纳能微已形成高速接口IP产品线有3大类20余种，IP授权案例超100个，拥有瑞芯微，富瀚微，华为，华澜微，苏州国芯，天津飞腾，芯原，国网智芯等国内外SOC及ASIC企业。

数年的发展，不仅让纳能微获得更多客户的认可，也让其获得了国家高新技术企业，成都市中小企业成长工程培育企业，成都市新经济培育企业，成都瞪羚企业，成都集成电路行业协会会员企业等众多荣誉。

自建立以来，纳能微始终保持初心，致力于为国内芯片行业提供自主IP选择的替代方案。纳能微向集微网表示，纳能微技术研发团队拥有平均十年的工业界芯片设计与量产经验，不仅如此，纳能微还拥有先进工艺下的SERDES IP 核的主要优势，除了在目前主流的55nm/40nm/28nm/22nm 上已经服务了大量的量产客户外，在更先进的节点方面也早有布局。

2018年8月，纳能微率先完成了国内14nm工艺SERDES IP核的流片验证，目前该工艺已经完成了多个客户IP授权及量产服务案例。

2019年底，纳能微在国内12nm 工艺平台也完成了USB 及PCIE PHY IP核的流片验证，迄今为止该技术正处于客户导入阶段。

此外，纳能微还透露道，将于2020年12月底向客户交付8nm FinFET工艺的高速SERDES IP核。同时，下一代更先进工艺的SERDES IP开发也已经在进行中。

近几年，伴随着国内半导体业的需求的爆发式增长，本土IP行业呈现出应用平台化发展趋势。作为一家基于本土成长起来的IP核企业，纳能微也开始进行IP平台化运营的规划和努力。

纳能微明确，将纵向深耕本身先进工艺SERDES IP核产品研发及品类扩展，横向联合合作伙伴（比如PCIE/USB 控制器厂商, 及其他互补的模拟IP厂商）形成统一的IP供销清单，满足客户对IP的一站式采购需求。

而在垂直方向上，纳能微将与前后端设计服务企业，封装及测试厂家（尤其是快封类高速基板设计及生产单位）形成战略合作，为客户提供IP-设计服务-封装-流片-测试的全流程的支撑。

回顾2020年这一特殊年份，纳能微坚持拼搏，在IP核心技术上取得了新突破，推出了多款新品。

2020年，纳能微推出USB3/PCIE/SATA/SGMII/QSGMII combo PHY IP，这是目前业内唯一的一个“5-in-1”物理层PHY IP。无需额外的集成工作，只要变换2根控制管脚的电平，就可以在四种协议应用中进行轻松切换。这个IP具有业内领先的PPA表现，在面积和功耗方面优于同类单用途PHY IP。

此外，纳能微还推出了同时兼容VBO/eDP/LVDS/P2P 四种协议的视频流专用GVI combo PHY, 并在28nm 工艺推出了PCIE gen4 PHY IP 及 SAS 12G PHY IP。

2020年的多项“硕果”在为纳能微技术“点睛”的同时，也照亮了未来之路。

未来，纳能微也将在深耕现有优势领域的基础上，坚守IP核这个阵地，以平台化运营的方式对各方面的资源进行整合，从解决点问题升级到解决一个区域的问题。踏踏实实的攻克一个个点，聚沙成塔。