1.显卡要涨真的了！撼讯警告：黑五恐是最后好价

2.一周动态：小米预警智能手机或将涨价；中国信通院牵头具身智能国际标准工作；多个重点项目签约投产（11月14日-20日）

3.蔚来李斌预测2030年新能源汽车渗透率超90% 称趋势不可逆

4.【IC风云榜候选企业24】匠芯创：以RISC-V架构重塑工业控制芯片，打造自主可控“中国芯”

5.晶盛机电首条12英寸碳化硅中试线通线

6.天岳先进：已推出12英寸全系列碳化硅衬底

1.显卡要涨真的了！撼讯警告：黑五恐是最后好价

受到全球人工智能（AI）狂潮对存储市场的巨大冲击，消费级显示卡价格面临结构性上涨的压力，已获得产业链官方合作伙伴的证实。作为AMD 重要的板卡制造伙伴，撼讯（PowerColor）近日在社群媒体Reddit 论坛上向玩家发出“警告”，暗示即将到来的折扣活动，极有可能是消费者以合理价格购入新显卡的“最后机会”，市场普遍解读这段黄金时机直指接下来的黑色星期五档期。

这波显卡价格上涨的根源，来自于AI 运算对高带宽存储器（HBM）和标准DRAM 的庞大需求。市场数据显示，与显示卡息息相关的显存（VRAM）报价涨幅已高达30%，紧追着DDR5 存储模组数倍暴增的价格走势。

由于英伟达和AMD 两大GPU 供应商，在供应模式中采取了GPU 与显存成套搭配的方式，使得显存成本的巨幅波动直接转嫁到制造商，导致显示卡生产成本难以负荷。

一般情况下，显示卡价格若在10% 内波动，厂商鲜少会公开表态；因此，撼讯此次主动发布警示，明确指出价格将出现难以逆转的结构性上涨，而非短期市场波动。

这份来自AMD 核心伙伴的警示，也与整个AI 产业的爆炸性成长趋势相符。业界龙头英伟达最新公布的第三季财报再次刷新历史纪录，季度营收增长超过两成，展现出全球对AI 芯片与机架方案的惊人渴求。

在各大科技巨头争相投入AI 芯片制造、大量消耗存储产能的背景下，依赖DRAM 的消费级显示卡市场价格稳定性将长期受到挑战。

撼讯的公开提示，凸显接下来的促销活动，很可能是这波价格上涨全面实施前的最后一个优惠窗口。一旦这波由AI 驱动的成本压力完全释放，未来购买显卡的门槛恐将大幅提高。（来源： 钜亨网）

2.一周动态：小米预警智能手机或将涨价；中国信通院牵头具身智能国际标准工作；多个重点项目签约投产（11月14日-20日）

本周以来，商务部数据显示1-10月智能穿戴产品网零额增长23.1%；中国信通院牵头推进具身智能国际标准工作；广东提出打造全国集成电路“第三极”，安徽发布智能机器人产业发展行动方案；小米预警2026年手机或因内存芯片短缺涨价，安世中国回应内部争议……

热点风向

商务部：1-10月，AI眼镜、智能手表等智能穿戴网零额增长23.1%

据商务部网站，商务部电子商务司负责人介绍2025年1-10月我国电子商务发展情况。2025年1-10月，我国电子商务在提振消费惠民生、促进现代产业体系建设、扩大高水平对外开放等方面发挥积极作用，不断释放商务发展新动能。

数字消费助力扩内需惠民生。数字消费、品质电商以新供给创造新需求，不断激发消费潜力。据国家统计局数据，1-10月全国网上零售额同比增长9.6%。智能产品、网络服务、即时电商增长亮眼，据商务大数据监测，AI眼镜、智能手表等智能穿戴网零额增长23.1%，网络服务消费增长21%，其中线上购券-线下体验的到店餐饮增长25.1%，即时电商便利消费需求，销售额增长24.3%。

中国信通院牵头推进具身智能国际标准工作，取得重要进展

近日，中国信息通信研究院（简称“中国信通院”）主导推动的国际标准《具身智能系统框架及能力要求》在ITU-T第21专业组（SG21）2025年第二次全体会议期间正式冻结，同期成功推动2项新立提案：EAI-bench《具身智能系统基准测试和评价框架》和《面向真实场景的具身智能遥操作数据采集系统技术要求》。

《具身智能系统框架及能力要求》（ITU-T F.748.66，Requirements and Framework for embodied artificial intelligence systems）明确了具身智能的定义、系统框架和关键能力要求。标准编制过程中起草组与各国代表就具身智能定义进行充分探讨，并达成如下共识：具身智能（Embodied Artificial Intelligence）指与物理实体融合的人工智能，能自主与物理世界交互并适应环境。具身智能概念及关键特征示意图如下图所示。该标准作为统领性标准，为全球具身智能领域的技术创新和研发实践提供了统一的技术框架，有力促进国际技术互操作与互认，为后续我国在ITU-T推动具身智能领域标准国际化工作奠定基础。

广东数字经济试验区建设方案出炉，打造全国集成电路“第三极”

近日，《广东省国家数字经济创新发展试验区建设方案（2025—2027年）》发布。

该建设方案明确提出，建成具有国际影响力的半导体与集成电路产业聚集区，打造全国集成电路“第三极”。建设适配芯片的开发生态，加快高性能、低功耗端侧芯片研发生产与验证应用。鼓励企业通过集成算力芯片、处理器、射频通信、智能传感器、光芯片、存储器等，推进决策、控制、驱动、通信、显示等模组研发。探索存算一体、类脑计算、芯粒、RISC-V指令集（第五代精简指令集）等多元新兴技术和架构研发与应用，推广高性能云端智能服务器。

安徽省智能机器人产业发展行动方案，提及智算芯片

近日，《安徽省智能机器人产业发展行动方案（2025—2027年）》发布。目标到2027年，智能机器人产业形成“十百千”发展格局，即培育10户以上细分领域国内龙头企业，突破100项以上关键技术及标志性产品，全产业链营业收入达到1000亿元。到2030年，建成智能机器人国家级先进制造业集群，打造全球有重要影响力的智能机器人产业高地。

该行动方案提出“打造标志性产品”，其中包括打造整机及关键部组件标志性产品。面向工业制造、民生服务、社会治理、安全应急、文化旅游等领域，打造一批智能机器人整机产品。聚焦核心零部件环节，研制智算芯片、高精密减速器、高性能力/触/视觉传感器、高扭矩密度一体化关节、多功能灵巧手、高能量密度电池、聚醚醚酮（PEEK）工程塑料等一批关键部组件。

10亿元人工智能产业投资基金落地郑州

据郑州高新发布消息，11月10日，郑州高新产投基金联合省市区战新母基金及汇融基金成功设立河南汇融人工智能产业投资基金。这支总规模10亿元专项基金的成功落地，标志着高新区在人工智能产业资本布局中再树新标杆。该基金由汇融基金担任管理人，将锚定“核心技术突破+场景深度应用”双主线，重点投向人工智能等前沿领域，抢滩未来产业新赛道，高度契合郑州建设全国重要未来产业先导区的战略布局。

项目动态

投资超百亿，先导集团半导体高端装备制造项目启动建设

11月13日，先导集团半导体高端装备制造西南生产基地项目在遂宁安居区正式启动建设。作为遂宁近三年来首个投资超百亿元的重大项目，该项目建成后将有效填补国内半导体高端装备制造领域的技术空白。这意味着，遂宁将在半导体产业版图上树立起属于自己的特色标杆。

根据投资计划，该项目总投资106亿元，用地约150亩。一期投产后可实现年产值53亿元，年税收约1.5亿元，助力国产化半导体高端装备从零到一的突破，实现国产替代，补全四川省半导体设备制造产业链。

总投资35亿元，清溢光电佛山掩膜版项目投产

11月14日，深圳清溢光电股份有限公司（简称：清溢光电）佛山南海生产基地投产仪式在南海丹灶举行。

据南海融媒报道，此次投产的清溢光电佛山南海生产基地，包含“高精度掩膜版生产基地”和“高端半导体掩膜版生产基地”两大核心项目，总投资达35亿元，该项目于2023年12月签订合作协议，是佛山市2024年重点建设项目。该基地的投产标志着佛山在半导体核心材料领域的布局取得关键突破，国内掩膜版产业国产化替代进程迈出坚实步伐。

全国首支！鄂州AIC基金首单投向半导体设备企业

11月14日，湖北中瀛葛昌扶摇贰号股权投资基金合伙企业（以下简称“鄂州AIC基金”）完成对某芯片企业股权投资5000万元，标志着全国首支非试点城市AIC基金实现股权直投业务突破。

本次投资为鄂州AIC基金在半导体设备领域的首个战略布局。该芯片企业专注半导体前道工艺设备研发、生产与销售，核心产品为原子层沉积（ALD）及离子注入（IMP）设备，广泛应用于集成电路、第三代半导体、新能源等领域。该公司通过自主研发攻克高能离子注入机技术壁垒，率先实现国产化突破并获下游某行业龙头企业验证，正加速拓展逻辑与存储芯片客户市场，有力破解了国内高端离子注入机“卡脖子”技术难题。

企业动态

小米总裁卢伟冰：内存芯片短缺，2026年智能手机将涨价

11月18日晚间，小米集团合伙人、总裁卢伟冰表示，小米公司已签署协议，确保2026年的全年供应。另外，小米自身也会在其产品中反映出组件成本的预期上涨。卢伟冰表示，此次内存（存储芯片）价格的上涨会是一个偏长的周期。“以前基本上是在手机行业大的波动周期内来影响整个内存的价格，但这一轮主要还是由于AI带来的HBM需求的强劲上涨，带动全球（内存价格上涨），跟以前不太一样。”

在保证供应的前提下，卢伟冰也直言，消费者可能会看到产品零售价格大幅上涨。内存成本的上涨一部分还是要通过涨价来消化，但仅靠涨价也无法完全消化。

安世中国再发全员信，作三点重要说明

11月14日，安世中国再发布致全体员工信，对安世荷兰发布的相关信息作出说明。

安世中国表示，相信大家已经看到2025年11月12日以安世荷兰临时首席执行官 Stefan Tilger 名义发出的致安世中国全体员工信。该信函枉顾事实，试图混淆视听，充分反映出安世荷兰部分管理层推卸责任，置安世中国全体员工切身利益于不顾的态度，公司理解该信函会给大家带来困惑，为此特向大家作如下说明，以正视听：第一、中国商务部多次强调，安世半导体问题的根源是荷兰政府不当干预企业内部事务。第二、为应对荷兰政府的不当干预，安世中国依照中国法律法规积极开展“生产自救”，努力维持各项生产经营活动有序推进，并配合中国政府要求恢复用于民用用途的相关出口供货。第三、尽管面临荷兰政府的不当干预和安世荷兰部分管理层的恶意阻挠和推卸责任，安世中国仍然有能力、有信心、有担当来发放安世中国全体员工的足额工资和福利。目前安世中国所有员工薪酬福利一切正常。

具身智能公司星动纪元获近10亿元A+轮融资

11 月 20 日消息，具身智能公司星动纪元宣布完成近10亿元A+轮融资。本轮融资由吉利资本领投，北汽产投战略投资，北京市人工智能产业投资基金及北京机器人产业发展投资基金（由京国瑞与首程控股共同管理）联合注资；与此同时，已有多家国际产业巨头战略资本加持。

爱鸥光学完成数千万元A+轮融资

11月18日，爱鸥光学科技有限公司宣布于近日完成数千万元A+轮融资，投资方为道禾拓荆芯链基金与君桐资本。本轮融资资金将主要用于加强产品研发以及产能扩充，以应对国产半导体设备行业对高端激光器快速增长的应用需求，保证产品的高质量交付。

爱鸥光学指出，能获得两大专业资本的青睐，主要源于爱鸥光学在核心技术上的独特优势和深厚积累。爱鸥光学的核心技术曾荣获“全球光学重要进展”“中国光学十大进展” 、“荣格技术创新奖”“中国激光星锐奖”等殊荣。该公司致力于用最新的人工智能技术赋能光学行业，始终秉持“AI makes optics smart” 的技术创新理念，为激光技术的智能化演进提供整体解决方案和关键产品。

3.蔚来李斌预测2030年新能源汽车渗透率超90% 称趋势不可逆

11 月 21 日消息，2025 第二十三届广州国际汽车展览会于 2025 年 11 月 21 日至 30 日举办，来自世界各上千家展商／品牌参展。

蔚来汽车创始人、董事长、CEO 李斌表示：要做可换电的增程，蔚来做过各种各样的研究，研究完了以后，还是认为终极的技术方案就是可充可换可升级的方案。

“当然还是那句话，最后市场说了算，我们今天的很多东西需要 3 年后 5 年后才能看出来到底是对的还是错的，”李斌表示。

李斌提到，今年 1-10 月，纯电车型是所有能源形式里增长最快的。蔚来所在的高端市场原来一直是油车的天下，但今年已经有超 22% 的渗透率，这是非常大的变化。他表示，全新 ES8 现在超 60% 的用户来自传统高端品牌，比如 BBA、保时捷等等。

更有意思的是，还有超过 40% 的用户来自传统油车里的轿车。“传统高端品牌里的轿车用户由于商务属性，实际是最难转到纯电 SUV 的，但现在我们看到转化的趋势越来越明显。”

李斌还表示，我不觉得新能源车会与油车平分天下。好多年前，我就预言 2030 年新能源的渗透率会超过 90%，现在我仍保持这样的预测 ——2030 年中国新能源汽车在新车销量占有率会超过 90%。“还有 5 年时间，我觉得它是不可逆的。”

当谈及全球化战略时，李斌表示，“蔚来原来的车卖得比较贵，蔚来品牌定位是高端，所以能够进入的市场是少一些的主流高端市场，中国、美国、欧洲这几个市场加起来（占比）是 90% 以上，但是我们现在有乐道和萤火虫，那就不一样，所以接下来几年大家能看到蔚来进入全球市场会加速。”

李斌还谈到，“我们现在也改了合作的方式，我们原来都是直营体系，发现这个确实太花钱了，现在我们（出海）会找本地合作伙伴，借助他们的销售服务网络的投入，这样的话是能够增加我们进入的速度，所以我们还是很有信心的。”

蔚来汽车 10 月交付了一张“有史以来最佳”的销量成绩单：共交付了 40397 辆汽车，创下新的月度纪录，同比增长 92.6%。IT之家注：这一交付成绩包括蔚来主品牌的 17143 辆汽车、乐道的 17342 辆汽车，以及萤火虫的 5912 辆汽车。截至 2025 年 10 月 31 日，蔚来品牌累计交付量达 913,182 辆。

对于新能源汽车的市场份额，李斌表示，“一般来说，（每年）一季度油车的渗透率会高一些。主要因为四季度新能源车因购置税补贴等原因有一些提前释放。但我觉得明年一季度还真不好说，新能源车可能仍能保持不错的市场份额。”

他举了个例子，2018 年三四季度时，挪威新能源的渗透率是 20%-25%，现在是 97%-98%，这就叫趋势。就像中国每年新能源车的渗透率大大上升一样，新能源车的技术优势越来越被（消费者）认可。（来源： 凤凰网）

4.【IC风云榜候选企业24】匠芯创：以RISC-V架构重塑工业控制芯片，打造自主可控“中国芯”

【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

【候选企业】广东匠芯创科技有限公司（简称：匠芯创）

【候选奖项】年度RISC-V技术创新奖、年度技术突破奖

【候选产品】工业级高性能DSP实时处理器芯片 M7000系列

在全球工业数字化、智能化浪潮的推动下，工业控制芯片作为智能制造的核心基石，正成为各国科技竞争的焦点。然而，该领域长期被国际巨头垄断，成为制约我国工业自动化产业自主发展的关键瓶颈。成立于2019年的广东匠芯创科技有限公司，凭借其在RISC-V架构上的深度布局与持续创新，正以其高性能、高可靠性的芯片产品，为中国工业应用芯片的自主可控注入强劲动力。

匠芯创总部位于横琴粤澳深度合作区，在珠海高新、深圳、广州、苏州、杭州等地设立研发及市场运营中心，构建了覆盖全国主要产业集聚区的创新网络。作为国内工业应用芯片研发与设计的新兴力量，该公司专注于RISC-V SoC芯片设计、工业控制、多媒体人机交互、人工智能等核心技术领域，致力于成为世界一流的泛工业应用芯片解决方案供应商。

截至目前，匠芯创累计申请专利超110项，已获得授权专利逾80项，展现出扎实的技术积累与创新能力。该公司单颗SoC芯片年出货量突破百万片，与近70%的行业头部客户建立了深度合作关系。凭借卓越的技术实力，匠芯创先后荣获国家级高新技术企业、广东省名优高新技术产品名单、珠海市新锐集成电路企业、玄铁优选伙伴、RISC-V技术创新奖、年度优秀AI芯片奖等多项重要资质与荣誉。

匠芯创创始团队具备多次成功创业经历，拥有丰富的团队管理经验及企业上市运作能力。核心成员在多媒体、人工智能、存储、工业自动化及SoC芯片设计等领域深耕多年，曾主导设计的多款芯片产品全球市场份额领先，为该公司的稳健发展提供了坚实保障。

此次，匠芯创凭借其在RISC-V架构领域的创新突破，竞逐“IC风云榜”年度RISC-V技术创新奖与年度技术突破奖，并成为候选企业。这两个奖项分别旨在表彰在RISC-V生态中做出特殊贡献的企业，以及在前沿技术领域实现重大原始创新、对推动产业链自主安全可控发挥重要作用的企业。

目前，匠芯创多款芯片已实现规模化量产与商业化落地，广泛应用于机器人、医疗、汽车电子、工业设备、智能硬件、电力能源等多个关键领域。在推动核心技术突破的同时，匠芯创积极构建产业链上下游生态协作机制，助力打造自主可控的RISC-V芯片产业链。

在核心产品方面，匠芯创已形成完整布局：

工业级人机交互MPU D21x系列：采用国产自主64位高算力RISC-V内核，集成2D图像加速与H.264解码引擎，支持MJPEG及PNG解码，可无缝对接QT、LVGL、AWTK等主流图形框架，具备工控宽温适应能力，适用于工业自动化、HMI界面、物联网关及智能家居等场景。

工业级高性能显示控制MCU D13x系列：一款基于RISC-V架构的高性能、国产自主、工业级跨界MCU，配备2D图形加速、PNG/JPEG编解码引擎，具备丰富屏接口、高分辨率PWM和多路高精度定时器，支持实时数据处理与控制，广泛用于工业HMI、通信网关及串口屏等泛工业领域和智慧家居领域。

工业级智能屏控制MCU D12x系列：一款基于RISC-V架构的高性能、国产自主、工业级高清显示和控制MCU，具备高性能、低成本与超低功耗特性，集成2D图形加速与多媒体解码能力，支持多种接口配置，适用于串口屏、智能仪表、家电控制等嵌入式显示场景。

工业级高性能DSP实时处理器 M7000系列：面向伺服驱动、变频控制、光伏能源、数字电源等高端工业应用，搭载国产高算力RISC-V内核，主频达552MHz，集成DSP、FPU、HCL、Cordic、FFT等专用硬件单元，具有强大的处理性能与高效的运行能力。

M7000系列芯片是匠芯创此次竞逐年度技术突破奖奖项的核心产品其技术创新具备三大核心优势：

（1）自主可控：RISC-V架构打破技术壁垒

采用完全自主研发的RISC-V 32位双核架构，实现从设计到封装的全链路国产化，突破ARM与DSP的技术垄断与供应链风险。芯片主频最高达552MHz，支持双精度浮点运算与DSP扩展指令集，性能媲美国际主流产品，满足伺服电机控制、光伏逆变器等高性能应用场景需求。

（2）性能领先：重新定义工业控制“硬指标”

搭载双核高主频架构，配备1MB SRAM和2MB Flash大容量存储，保障复杂算法高效运行。集成多元硬件加速单元，包括超高速硬件电流环（HCL）、Cordic三角函数运算器、FFT加速器（支持4096点）和可编程滤波器，显著提升信号处理能力。丰富的外设接口支持EtherCAT工业以太网、多路ADC采集及多种通信协议，配合纳秒级PWM输出和多协议编码器接口，满足多样化工业控制需求。

（3）生态闭环：助力客户快速开发与创新

构建从系统设计、软件开发、硬件方案到算法优化的全方位支持体系。

基于M7000系列芯片，匠芯创推出覆盖总线伺服驱动、电动助力转向、变频控制等多元工业场景的全领域解决方案。其中，伺服驱动方案支持EtherCAT总线/脉冲双控制模式，经客户实测电流环响应速度较某主流产品在1500RPM满载条件下，滤波前降低46.6%速度波动，滤波后降低25%速度波动；空载6000RPM时，速度波动从滤波前±50rpm降至±6rpm。显著推动国产芯片从“可用”向“好用”迈进。

该系列芯片的成功研发填补了国内在高端工业控制芯片领域的多项技术空白，以其卓越性能和完善的生态支持，成为国产工业芯片替代的重要选择。目前，M7000系列已成功应用于工业自动化、新能源/电源、机器人、汽车、家电等领域。尤其在人形机器人及多轴运动控制场景中表现卓越。

匠芯创围绕M7000系列芯片已构建完善的知识产权体系，共获授权专利10件，其中6件发明专利涵盖PSRAM控制、并行接口传输、伺服电机控制等核心技术。

随着全球工业芯片产业快速发展，匠芯创将继续秉承“工业芯 匠芯创”的发展理念，专注于工业应用芯片领域，持续为客户提供高性能、高可靠性的芯片产品，为推动国产芯片在泛工业应用领域的蓬勃发展贡献更大力量。

【奖项申报入口】

2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2025年12月在上海举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！

【年度RISC-V技术创新奖】

“年度RISC-V 技术创新奖”随着新型算力需求激增，RISC-V发展迎来蝶变，即将进入应用爆发期，“IC风云榜-年度RISC-V 技术创新奖”表彰在RISC-V生态中做出特殊贡献的企业和机构，扩大品牌影响力，助力企业发展加速度。

【报名条件】

1、申报企业/产品需要使用RISC-V架构，且已在产品中应用，提供产品应用证明；
2、 对该项技术进行过报道宣传，推动提升RISC-V生态建设。

【评选标准】

1、评委会由“半导体投资联盟”超100家会员单位及数百位半导体行业CEO共同组成；
2、每位评委限投5票，最终按企业得票数量评选出“年度RISC-V 技术创新奖”。

【年度技术突破奖】

“年度技术突破奖”奖项旨在表彰2025年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域，2025年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。

【评选标准】

1、技术的原始创新性50%；
2、技术或产品的主要性能和指标30%；
3、产品的市场前景及经济社会效益20%。

5.晶盛机电首条12英寸碳化硅中试线通线

11月20日，晶盛机电（300316.SZ）在投资者互动平台表示，公司碳化硅衬底材料业务已实现6-8英寸碳化硅衬底的规模化量产与销售，量产产品核心参数指标达到行业一流水平，8英寸碳化硅衬底在技术和规模方面处于国内前列。与此同时，公司首条12英寸碳化硅衬底加工中试线已正式通线。

晶盛机电介绍，当前公司正积极推进碳化硅衬底产品在全球范围内的客户验证工作，送样客户范围较此前有大幅提升，产品验证进展整体顺利。在持续扩大客户覆盖的基础上，公司已成功获取部分国际客户批量订单，海外市场认可度稳步提升，为后续放量奠定基础。

公司指出，6-8英寸碳化硅衬底主要面向车规级功率器件、新能源发电、工业控制等高端应用领域，随着新能源汽车渗透率提升和光伏、储能等下游需求增长，相关市场保持较高景气度。通过在晶体生长、缺陷控制与抛光工艺等关键环节持续投入，公司碳化硅衬底核心指标逐步对标国际一流水平，在良率和一致性方面积累了量产经验。

在此基础上，晶盛机电首条12英寸碳化硅衬底加工中试线正式通线，被视为公司在大尺寸碳化硅衬底布局上的重要进展。大尺寸化有望在同一片区内集成更多器件单元、摊薄单位芯片成本，同时对设备、工艺及材料提出更高要求，中试线通线将为后续工艺优化与规模化铺路。

业内人士认为，碳化硅作为第三代半导体材料，正处于从6英寸向8英寸、12英寸演进的关键阶段，具备大尺寸衬底量产与中试能力的企业，有望在下一轮技术迭代中抢占先发优势。在公司既有设备与材料协同基础上，晶盛机电碳化硅衬底业务的国际客户开拓进展及12英寸中试线的后续爬坡情况，将成为资本市场持续关注的焦点之一。

6.天岳先进：已推出12英寸全系列碳化硅衬底

11月20日，有投资者在互动平台向天岳先进提问，关注行业传出“英伟达计划在新一代GPU芯片先进封装环节中采用12英寸碳化硅衬底，并预计最晚于2027年导入”的市场消息，并希望公司作出评价。天岳先进回应称，公司已关注到相关信息。

公司表示，采用12英寸碳化硅作为中介层材料，不仅能够显著提升封装结构的散热效率，还可以在相同封装面积内实现更高的集成密度。在高算力GPU持续推高功耗和带宽需求的背景下，更高导热性能和更优机械可靠性的中介层材料，有助于改善芯片工作温度和系统稳定性，为后续算力提升预留空间。

天岳先进指出，借助12英寸碳化硅衬底，在先进封装中可进一步缩小整体封装尺寸，优化布线和堆叠结构设计，从而在保持或提升性能的同时，有望降低单位算力的封装成本。对于GPU等高端芯片而言，封装环节已成为影响系统性能、功耗和可靠性的重要一环，新型材料的导入被视为推动高性能计算平台迭代升级的关键因素之一。

在产品布局方面，公司表示，目前已推出12英寸全系列衬底产品，覆盖半绝缘、导电P型以及导电N型等多种类型，可服务于不同终端和工艺路线需求。公司称，将结合下游客户在功率器件、高频器件及先进封装中介层等场景的应用要求，持续优化衬底材料的缺陷控制、导热性能与电学特性。

业内人士认为，随着AI算力和高性能计算需求持续攀升，从晶圆工艺到封装材料的全链路升级成为驱动碳化硅等第三代半导体放量的重要方向。天岳先进在12英寸碳化硅衬底上的布局，有望在下一轮先进封装与高端算力平台的产业化进程中受益，后续产品在头部客户体系中的导入节奏及量产规模，值得市场继续跟踪关注。