上海再添第三代半导体项目,瀚镓半导体将建4英寸GaN中试线

作者: 施旭颖
2021-08-10 {{format_view(34963)}}
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上海再添第三代半导体项目,瀚镓半导体将建4英寸GaN中试线

8月9日,浦东时报刊登了“瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化项目的环评公示”。



公示内容显示,上海瀚镓半导体科技有限公司将在浦东建设4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试。

上海瀚镓半导体科技有限公司成立于2020年8月,法定代表人为何哲强,注册资本为500万元人民币。

该公司在招聘网站的招聘主页显示,上海瀚镓半导体科技有限公司由上海集成电路材料研究院支撑孵化,公司位于中国(上海)自由贸易试验区临港新片区。公司技术核心团队成员来自中国科学院、加州劳伦斯伯克利国家实验室、加州大学伯克利分校等知名机构和院校,具有完全自主知识产权的核心专利技术。公司专注于GaN晶体材料制造技术及相关设备、应用技术的开发,进行GaN自支撑晶圆制造关键技术中试研发与产业化,为推动GaN 半导体行业的高性能、高品质发展提供核心基础材料支撑,助力我国竞占第三代半导体行业发展的战略制高点。

(校对/若冰)

责编: 韩秀荣
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