北京君正:21nm DRAM新工艺预计年底推出

作者: 黄仁贵
2024-11-14 {{format_view(17514)}}
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北京君正:21nm DRAM新工艺预计年底推出

近日,北京君正在接受机构调研时就DRAM的新工艺情况表示,21nm和20nm都有在研,预计21nm的今年年底会推出,20nm预计将于明年中前后推出,后续还会继续进行更新工艺的产品研发。

关于存储中各类市场的收入占比情况,北京君正表示,汽车市场占比大概40%以上,工业和医疗今年市场景气度差一些,去年占比超过30%,今年大概不到30%,剩下大约20%多的是通信和消费等其他领域。

存储产品价格方面,北京君正的存储产品主要面向行业市场,这个市场的价格变动特点和消费类市场不同,这几年行业市场存储价格高点是2022年,2022年末行业市场进入下行周期后,价格逐渐有所下调,但幅度相对较小。

北京君正同时披露各产品线的毛利率水平:计算芯片的毛利率波动较大,受市场需求和竞争影响较大,今年三季度的毛利率约为35%多;存储芯片的毛利率三季度大约接近34%;模拟与互联芯片毛利率一直保持在较高水平,三季度仍然保持在50%以上。

责编: 邓文标
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