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抢攻下一代存储技术!SK海力士成立新研发中心RTC

holly·01-07 18:15·IC  来源: 爱集微

集微网消息,据etnews报道,为改善DRAM、NAND Flash等产品性能,先于竞争对手开发下一代存储技术,SK海力士日前宣布公司重组了研发部门并成立了新研发中心RTC(Revolutionary Technology Center)。

图源:SK海力士

该报道指出,RTC隶属于SK海力士未来技术研究所,将由Kim Jin-guk负责领导。SK海力士表示:“建立RTC是为了加强公司内存业务的竞争优势,并比竞争对手更快地开发新技术。”          

据悉,RTC将研发改善芯片处理速度的高宽带内存(HBM)、电阻式RAM(ReRAM);克服DRAM极限的自旋转移力矩式磁性随机存储器(STT-MRAM)、相位变化存储器(PRAM);以及全面改良芯片容量、处理速度的3D DRAM等。

SK海力士一直致力于提高自己的技术能力,该公司2019年研发投入29.4亿美元,2020年第一季度在第三季度之间投入了23亿美元,占其收入的11%。

(校对/零叁)

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