贸易战升温敏感时刻，中国龙头内存厂高调秀技术的盘算

美国总统特朗普5 月初才宣布与中国协商破局，不仅针对中国部分输美商品提高关税至 25%，后又对华为展开制裁行动，引发全球主要厂商跟风，市场充满肃杀气氛；就在 5 月 15 日，第 7 届全球半导体联盟内存论坛（GSA Memory＋Conference）在中国上海浦东文华东方酒店举行，在这个非常时机点，论坛上的一举一动都显得格外敏感。

两年一度的全球内存论坛，每年都会邀请与吸引重量级内存厂商共襄盛举，今年包括三星、美光（Micron）、东芝、应用材料（Applied Materials）、威腾电子（Western Digital）、瑞萨（Renesas）、群联、长江存储、合肥长鑫等都是演讲或与会嘉宾。《财讯》也前往上海参与这场盛会，直击在中美贸易战急遽升温的氛围中，中国内存产业的微妙变化。

今年最大亮点，是中国最大储存型闪存（NAND Flash）厂商长江存储，与最大动态随机存取内存（DRAM）厂商合肥长鑫存储首次出席该场合，并对外揭橥技术来源与量产进度。尤其，美中贸易战正打得火热，在业界向来行事相当低调的长江存储与合肥长鑫，这次如此反常的高调举动透露出许多市场信息。

两大产业龙头反常亮相 三大变化透露中国实力

全球半导体联盟内存论坛是国际性的盛会，过去曾在美国、日本、中国台湾及中国大陆轮流举行，但继 2 年前在中国大陆举办后，今年是连续第二次移师中国上海举办。全球半导体联盟（GSA）指出，这是因为中国大陆对内存产线的投资较高，以及云端计算和行动运算系统用户的快速增长，再加上在中国大陆有较多的新进者和新技术转型的厂商，因此决定移师中国大陆。

今年，长江存储执行董事长高启全、合肥长鑫存储董事长暨执行长朱一明，都首次受邀担任全球半导体联盟内存论坛会议咨询委员会（Conference Advisory Committee）成员；同时，长江存储共同技术长汤强、朱一明也第一次受邀成为演讲嘉宾，「这代表国际已经认同大陆内存厂商的地位与重要性！」一位大陆内存厂商高层解读。

变化 1》急起直追 国际地位与能见度大增

过去，无论是长江存储、合肥长鑫存储或福建晋华，身为内存产业的后进者，再加上全球主要的核心技术专利都已掌握在三星、SK 海力士、美光、东芝、威腾电子、英特尔等南韩、日本、美国大厂手中，因此最被外界用放大镜解读的就是技术来源的合法性，知识产权一直是巨大的争议，更是美中贸易战的攻防重点。

尤其，2018 年 11 月 1 日，美国司法部正式起诉中国国营 DRAM 厂商──福建晋华集成电路公司、联电，还有福建晋华总裁陈正坤、何建亭及王永明 3 名台湾人，指控他们涉嫌共谋窃取美光估值高达 87.5 亿美元的商业机密；美国商务部也以基于国家安全和经济考虑，将福建晋华列入出口管制实体名单，禁止美国企业对该公司出售技术或产品，这让中国内存产业一度风声鹤唳。

▲ 长江存储共同技术长汤强，首次公开将于 8 月推出新一代 3D NAND Flash 技术架构 Xtacking 2.0 技术。

变化 2》抢先消毒 拉高分贝公布技术来源

但朱一明这次在论坛中，首次高调对外公布合肥长鑫存储 DRAM 技术，是来自于已破产的德国 DRAM 厂奇梦达（Qimonda），以及倒闭并被美光收购的日本 DRAM 公司尔必达（Elplda Memory）前员工。「长鑫存储通过与奇梦达合作，取得 1,000 多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB（兆字节）数据，这是公司最初的技术来源之一。」朱一明强调，除了技术来源之外，再透过自主研发，至今长鑫存储已经拥有 16,000 项专利申请，以及累计投产超过 15,000 片的晶圆。

据了解，2017 年 5 月，合肥长鑫存储宣布投资 72 亿美元，建设 3 期工程，目前是第 1 期工程兴建 12 吋晶圆厂，月产能可达 12.5 万片晶圆。据悉，合肥长鑫存储也将于今年第 4 季，正式量产 8GB LPDDR4 规格的 DRAM 芯片。

此外，朱一明还罕见地大方公开供应链合作伙伴，包括艾司摩尔（ASML）、科磊（KLA-Tencor）、泛林集团（Lam Research）、东京威力科创（TEL）、应用材料等国际半导体设备与测试仪器大厂，颇有凸显具备量产技术能量和技术正当性的意味。

这次朱一明一改往常的低调作风，如此「高调演出」，也不免让外界联想就是为了避免沦为下一个「福建晋华」的防堵措施。朱一明还在演讲最后提到，「公平竞争、透明、伦理及承诺是关键的成功要素，开放全球伙伴关系与投资是必要的」。

同样备受瞩目的，长江存储共同技术长汤强也在演讲中宣布，将在今年 8 月正式推出新一代 3D NAND Flash 技术架构 Xtacking 2.0 技术。

变化 3》力拚地位 加快研发与量产进程

2013 年，长江存储先后从 IBM、中国科学院微电子研究所、清华大学、复旦大学、上海微系统所取得超过 1,500 项专利授权；2015 年又与美国 NOR Flash 大厂飞索半导体（Spansion）技术合作，开发 3D NAND Fla sh，并针对 3D NAND Flash 研发出 Xtacking 技术架构，号称可以加快 I / O（输入 / 输出）接口速度、提高储存容量及缩短上市时程。

他也透露，「今年即将推出的新一代 Xtacking 2.0 技术，届时有望将长江存储的 3D NAND Flash 提升到一个新高度」。让外界对于 Xtacking 2.0 技术有高度期待，同时也观察出中国内存厂正在加快研发与量产进程。从 2017 年推出 Xtacking 技术架构后，短短 2 年的时间内，长江存储又再推出新一代技术架构 Xtacking 2.0。

随着长江存储与合肥长鑫存储产品量产在即，外界也在高度关注 2020 年后，将对于全球 NAND Flash 与 DRAM 产业所带来的冲击。对此群联董事长潘健成观察，「（中国 NAND Flash 龙头）长江存储是很有实力的公司！」经过 3 年的技术累积，已经可以开始投产，未来在产业也将会有一席之地。