士兰微“一种LDMOS器件及其制备方法”专利公布

集微网消息，天眼查显示，杭州士兰微电子股份有限公司“一种LDMOS器件及其制备方法”专利公布，申请公布日为2024年4月5日，申请公布号为CN117832269A。

公开了一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括：第一掺杂类型的半导体层；沟槽隔离结构，位于半导体层内，沟槽隔离结构为环形，沟槽隔离结构内部的区域为有源区，沟槽隔离结构以及沟槽隔离结构外侧的区域为终端区；第二掺杂类型的漂移区，位于半导体层内，漂移区的一部分位于有源区内，漂移区的另一部分位于沟槽隔离结构下方；第一掺杂类型的体区，部分体区位于有源区内；第二掺杂类型的源区，位于体区内；第二掺杂类型的漏区，位于漂移区内；栅结构，位于部分体区和漂移区上，且位于源区和漏区之间；其中，源区和漏区位于有源区内，漏区与沟槽隔离结构相互分离。