1.武汉江城实验室先进封装中试平台二期及产业化基地开工
2.美国将16家中企列入实体清单，商务部回应
3.德国芯片产业遭重击：政府宣布削减30亿欧元补贴
4.三星和韩国掩模制造商S&S Tech共同申请EUV薄膜专利
5.GMIF2025专访｜铠侠：兼顾盈利与技术领先，以新一代存储方案赋能AI时代
1.武汉江城实验室先进封装中试平台二期及产业化基地开工
10月9日，2025年四季度湖北省、武汉市重大项目建设推进会相继举行。
据中国光谷消息，武汉东湖高新区集中开工项目14个，总投资超230亿元，位居全市第一。其中，江城实验室先进封装中试平台二期及产业化基地，是四季度开工产业项目典型代表，将建成先进封装中试平台与产业化基地，推动先进封装关键领域、关键技术实现自主可控，保障先进封装产业供应链安全。
成立于2021年2月的江城实验室，是首批湖北实验室。4年多来，该实验室已建成国内领先的先进封装工艺中试线并通线，建有国内领先的12英寸集成电路中试平台和装备、材料及零部件等预验证平台，形成从基础研究、技术研发、小试、中试到产业化的集成电路综合性创新平台。
公开信息显示，江城实验室成功推动了多款先进封装芯片成功流片。2024年，江城实验室仅用9个月建成国内首个先进封装综合实验平台（一期），可同时支持8-10项芯片工艺研发中试、10项装备及材料验证。
据长江云新闻报道，在武汉，江城实验室中试二期及产业化基地项目，将带动湖北形成500亿元产值的先进封装产业集群。湖北江城实验室常务副主任王逸群表示，与高新区的人工智能芯片、光电芯片、化合物半导体、硅光等创新载体联动，在未来的10年内推动50到100家产业链上下游创业团队落户湖北。
2.美国将16家中企列入实体清单，商务部回应
10月10日，商务部新闻发言人就美国将中国多家实体列入出口管制“实体清单”事答记者问。
有记者问：美东时间2025年10月8日，美商务部宣布将多家中国实体列入出口管制“实体清单”，请问中方对此有何评论？
商务部发言人表示，中方注意到有关情况。美方不断泛化国家安全概念，滥用出口管制措施，滥施长臂管辖，对包括中国企业在内的多家实体实施穿透性制裁。美方此举严重损害企业合法权益，破坏全球产业链供应链安全稳定，中方对此坚决反对。中方敦促美方尽快纠正错误做法，并将采取必要措施，坚决维护中国实体的合法权益。
此前报道称，当地时间10月8日，美国商务部工业与安全局（BIS）发布公告，将26家实体与3个地址加入实体清单（Entity List）。其中包括16家中国大陆企业和3个中国香港地址。16家企业的范围广泛，既包括全球大型电子元件分销商Arrow的中国大陆和中国香港子公司，也包括一系列中小型技术和贸易企业。
3.德国芯片产业遭重击：政府宣布削减30亿欧元补贴
德国政府近日宣布，将大幅削减对半导体产业的财政援助，未来几年内计划减少30亿欧元（约合35亿美元）的补贴。这一资金将转用于修复国内的道路和桥梁。
此前，德国前政府计划为2025年至2028年的芯片产业支持拨款150亿欧元。
此次资金重新分配对德国在全球半导体产业中重夺重要地位的努力造成了打击，同时也影响了其减少对亚洲供应商依赖的战略。该战略此前已遭遇重大挫折，包括英特尔公司取消了在东部城市马格德堡投资300亿欧元建设工厂的计划。
德国经济部在周四晚些时候的一份声明中表示，微电子“仍然是德国主权至关重要的关键技术”，政府正在制定一项长期战略，以提升该国对半导体产业的吸引力。声明指出，芯片项目的资金“仍然可用”，“这些项目也已纳入目前正在议会审议的2026年预算中。”
据2024年报道称，德国已批准20亿欧元的芯片补贴，尽管至今尚未发放任何资金。经济部今年3月表示，官员们对申请资金的数量感到惊讶，申请数量约为预期的十几倍。
德国芯片制造商英飞凌科技公司的发言人表示，新的削减不会影响已获得补贴或已申请补贴的英飞凌项目。
欧盟推出了其芯片法案，目标是将欧盟在全球半导体生产中的份额在2030年提升至20%。然而，这一目标看起来越来越难以实现。据ZVEI和咨询公司Strategy&去年12月的一份分析显示，2024年欧洲的市场份额仅为8.1%，如果没有进一步的投资，预计还将下降。
与此同时，其他国家已拨款数十亿美元以发展其半导体产业。中国为此预留了1420亿美元，而美国则通过其芯片法案拨款520亿美元。（校对/赵月）
4.三星和韩国掩模制造商S&S Tech共同申请EUV薄膜专利
据报道，韩国掩模制造商S&S Tech与三星已在韩国联合申请了一项与极紫外（EUV）薄膜框架相关的专利。该专利的专利号为1020240030406，名称为“用于在光刻中使用的光罩上安装防护膜的框架组件”，该专利于去年3月提交，但具体细节直到最近才公布。
薄膜是一种超薄透明薄膜，用于在芯片生产过程中保护光掩膜。在光刻过程中，当在晶圆上绘制电路图案时，防护膜可以防止颗粒和杂质聚集在光罩表面。防护膜厚度仅为纳米级，必须具有高透光率，并能耐受高温和等离子体环境。
该专利描述了如何利用磁力框架组件将防护膜附着到光掩模上。磁力用于将螺柱附着到框架下方的光掩模和夹具上。这意味着防护膜将立即在光掩模上对准。根据专利，框架也易于拆卸和回收。粘合剂的最低使用量也意味着减少了排气。
今年8月，S&S Tech表示正在投资新设施，以扩大EUV空白掩模和EUV防护膜的生产。
目前，三星的大部分EUV空白掩模都通过日本供应商Hoya生产的。通过与S&S Tech的合作，三星计划在年内实现部分EUV空白掩模生产的本地化。三星还在考虑将S&S Tech和FST作为EUV防护膜的供应商。三星已与FST于2024年共同注册了EUV光罩粘合剂专利。
5.GMIF2025专访｜铠侠：兼顾盈利与技术领先，以新一代存储方案赋能AI时代
9月25日，第四届GMIF2025创新峰会在深圳湾万丽酒店盛大召开。本届峰会围绕“AI应用，创新赋能”主题，聚焦存算技术趋势、AI应用落地与产业链协同三大方向，汇聚全球存储与AI产业精英，共探AI时代下存储技术的演进与生态共建。
作为存储领域的重要参与者，铠侠在峰会上展出了基于BiCS FLASH™技术的全场景产品，其中包括245.76TB超大容量企业级SSD。峰会期间，铠侠就当前核心战略、新一代存储技术、产品线布局及未来技术研发等关键问题接受了集微网专访。
核心战略：以技术、规模与合作驱动增长，兼顾盈利与财务健康
在经历一段时期的行业波动和财务重组后，铠侠的核心战略备受关注。对此，铠侠表示，当前AI应用普及正推动闪存市场需求不断扩大，铠侠将持续以技术实力、生产规模以及与客户或供应链的合作伙伴关系作为增长引擎，提供支持数据运用技术创新的存储技术和全新解决方案，在信息基础设施中发挥核心作用。
技术方面，铠侠BiCS Flash始终保持领先地位，BiCS 8 TLC和QLC在业内广受好评，为AI专用SSD等产品赋予更强竞争力，可满足“高性能”“大容量”“低功耗”等多样化存储需求，而更为先进的BiCS 9和BiCS 10产品也已蓄势待发。
财务与投资层面，铠侠将依照规定进行设备投资和战略性资源分配，稳步提升盈利能力。具体而言，会将设备投资控制在销售额的20％以下，并根据市场动向合理配置资源，同时全力改善财务状况，实现健康稳健发展。
新一代BiCS FLASH技术：双轨并行，性能与容量双突破
今年2月，铠侠与闪迪联合发布下一代3D闪存技术，7月又宣布采用第9代BiCS FLASH 3D闪存技术的512Gb TLC产品启动样品出货，并计划于2026年量产。
谈及这两款产品的技术优势与应用领域，以及第9代产品快速跟进和量产的意义，铠侠介绍，BiCS 9沿用BiCS 8先进的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术，将现有存储单元技术与最新CMOS逻辑电路结合，在兼顾投资成本的同时实现更高性能；BiCS 10同样运用先进CBA技术，通过增加存储单元堆叠层数，进一步提升容量与性能。
从产品定位来看，BiCS 9针对低容量和中容量产品设计，以追求高效能为目标，适用于企业级SSD等产品，能最大限度提升AI系统中GPU调用数据的效率。此前送样的BiCS 9 512Gb产品，采用120层堆叠存储单元，结合CBA技术，不仅性能出色，还能在现有生产设备上实现良好投资效率。
该512Gb TLC产品基于第五代BiCS FLASH技术的120层堆叠工艺与先进CMOS技术开发，相较铠侠现有同容量BiCS FLASH产品，性能实现显著提升：写入性能提升61%、读取性能提升12%；能效方面，写入操作能效提升36%，读取操作能效提升27%；数据传输上，支持Toggle DDR6.0接口，NAND接口传输速率高达3.6Gb/s，演示条件下更是可达4.8Gb/s；同时，借助先进横向缩放，位密度进一步提升8%。
而BiCS 10则聚焦未来市场对更大容量、更高性能解决方案的需求。为应对尖端应用市场多样化需求，同时提供兼具投资效益与竞争力的产品，铠侠将推行“双轨并行”策略：一方面，以第九代BiCS FLASH产品通过技术融合降本提效；另一方面，以第十代BiCS FLASH产品通过增加堆叠层数突破容量与性能上限。
第九代产品的快速推进，对铠侠意义重大。它不仅能为中低容量存储市场提供卓越性能与能效的解决方案，还将集成到企业级固态硬盘中，尤其适配需要提升AI系统GPU性能的应用，助力铠侠在AI存储领域抢占先机。
产品线布局：全面覆盖多领域，深耕中国市场，强化AI存储解决方案
铠侠拥有从消费级到企业级的广泛产品线，关于未来资源分配方向及中国市场战略地位，铠侠明确表示，将继续加强全产品线布局，同时深耕中国市场，重点发力AI相关存储领域。
当前，AI推理系统对高性能、大容量SSD需求迫切，与此同时，智能手机和AI PC的存储容量需求也在迅猛增长。基于这一市场趋势，铠侠将持续推进智能手机存储、消费端SSD以及企业级与数据中心级SSD的研发，不会偏废任一领域。
针对AI系统，铠侠已加强SSD产品研发，推出助力GPU性能发挥的CM9系列，以及适用于大规模数据中心、容量高达245.76TB的LC9系列。此外，还专为AI研发全新大容量、高带宽闪存模块，该模块拥有5TB容量和64GB/s带宽，未来将为GPU的AI加速提供更多存储解决方案。
在市场战略中，中国市场占据重要地位。作为全球重要的消费电子与AI产业市场，中国在智能手机、AI PC、数据中心等领域的需求旺盛，铠侠将持续关注中国市场动态，通过丰富的产品与技术方案，满足中国市场多样化需求，深化与中国客户及合作伙伴的合作，共同推动AI时代存储产业发展。
未来技术研发：多维度升级3D闪存，探索下一代存储技术
随着3D NAND微缩逐渐面临物理和经济学极限，PLC、铁电存储器（FeFET）等下一代技术的发展潜力与挑战成为行业焦点。铠侠透露，公司采取多项技术并行升级的策略，既致力于优化现有3D闪存技术，也在积极探索下一代存储技术。
在现有3D闪存产品开发上，铠侠主要从四个维度实现突破：一是提升存储单元堆叠层数，进一步增加容量；二是研发更密集的横向微缩技术，提高存储密度；三是应用更高效的CBA技术，平衡成本与性能；四是推进每个存储单元存储信息的多值化技术，提升单位面积存储效率，通过这四大维度，打造大容量、具有成本竞争力的3D闪存产品。
与此同时，针对未来计算和未来存储需求，铠侠也在积极研发全新理念的半导体存储器，例如基于氧化物半导体的DRAM（OCTRAM）和MRAM等，目前相关研发工作正在有序推进中，未来有望为存储行业带来新的技术变革。
结语
在AI浪潮席卷全球、存储需求持续攀升的背景下，铠侠通过此次GMIF2025峰会清晰地传递了其战略路径：以领先的BiCS FLASH™技术为基石，通过“双轨并行”的产品策略和全面的市场布局，在巩固企业级存储市场优势的同时，积极拥抱消费电子与数据中心的新机遇。
面对未来，铠侠既着眼于现有3D闪存技术的精进，也前瞻性地布局下一代存储技术，展现出其作为存储行业领导者的技术深度与战略远见。在AI驱动的新时代，铠侠正稳步推进其技术、产品与财务的健康协同发展，致力于为全球，尤其是中国市场的数字化未来，构建坚实可靠的存储基石。
