三星投资平泽P4工厂1c纳米DRAM产线,将于2025年6月投产

来源:科技新报 #三星# #DRAM#
1.4w

面对市场需求增加,存储产业持续复苏,三星确认平泽P4工厂建设1c纳米制程DRAM内存产线投资计划,目标是2025年6月量产。

三星平泽P4是综合性半导体生产中心,分为四期计划。三星早期规划,一期生产NAND Flash闪存,二期为逻辑代工,三期及四期为DRAM内存。三星已在P4一期导入DRAM设备,却宣布搁置二期建设。

1c纳米制程DRAM是第六代10纳米级DRAM制程,各大内存1c纳米产品均未发布。三星计划年底启动1c纳米生产。三星考虑2025下半年推出的HBM4采用1c纳米DRAM裸片,或以更先进DRAM制程提升HBM4竞争力,追上对手SK海力士。

考量到HBM对DRAM晶圆的消耗量远高于传统内存,故三星平泽P4建设1c纳米DRAM产线,市场推测可能也是为了HBM4预做准备。

责编: 爱集微
来源:科技新报 #三星# #DRAM#
THE END
关闭
加载

PDF 加载中...