荣耀“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”专利公布

来源:爱集微 #荣耀#
9216

天眼查显示,荣耀终端有限公司“一种低栅极电荷屏蔽栅MOSFET器件及其制作方法”专利公布,申请公告日为2024年8月6日,申请公告号为CN118450063A。

本申请涉及视频处理领域,提供了一种创作视频的方法、电子设备、介质和芯片。响应于用户对选择的至少一个素材的成片操作,在确定至少一个素材满足电影感视频的匹配条件的情况下,电子设备为至少一个素材匹配电影类型的视频模板,且对至少一个素材使用电影类型的第一视频模板,生成的第一成片的视频效果与电影类型的第一视频模板对应的视频效果相同,第一成片具有电影感风格。这样,基于用户选择的素材可较为精准地智能匹配电影类型的视频模板,视频效果较佳;成片的视频效果接近用户的实际需求。综上,不仅提高了成片的视频效果,且能够满足用户的实际需求,总体上提高了视频创作的智能性和效率,从而提高了用户体验。

责编: 赵碧莹
来源:爱集微 #荣耀#
THE END

*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

关闭
加载

PDF 加载中...