英诺赛科基于VGaN技术推出新一代BMS方案

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随着低碳环保理念的推行,以及人们对绿色、便捷出行的需求,移动储能与电动小型动力市场得到快速发展,为了提升电池的安全性以及电池的利用效率,电池保护技术(BMS)亟需进一步提升。

氮化镓(GaN)作为一种新型的半导体材料,具备高频、高效、高功率密度和耐高温的特性,能够提高电力系统的转换能效, 目前已经在快充市场充分证明了其优势。此外,氮化镓无寄生体二极管,可实现受控的双向开通与关断,实现传统两颗 NMOS 对管才能实现的功能。基于此,英诺赛科开发了 VGaN 系列产品并且推向 OVP 及 BMS 应用领域。

48V/180A BMS Demo是基于高边同口BMS应用开发的最新设计方案,设计采用了最新的100V VGaN产品INV100FQ030A,其封装为FCQFN 4mm*6mm,最大导通电阻3.2mΩ,仅用16颗VGaN即可替代18对Si MOSFET(36颗),不仅降低占板面积,减小系统回路阻抗,还能全面降低系统成本。


方案介绍

方案概览

尺寸:

177mm*138mm*12mm

应用器件:

INV100FQ030A*16

规格:

16串48V电池保护应用

最大充放电电流180A

无散热器,最大温升≤50℃

系统框图

该方案为16串高边充放同口电池保护系统,利用VGaN 可受控双向导通及截止的特性,通过VGaN驱动电路,实现正常充放电、充电保护、放电保护、休眠等四种状态。


VGaN BMS系统框图 高边充放同口

器件性能

VGaN 是英诺赛科自研的全球唯一一款双向导通氮化镓功率器件,覆盖 30V-100V,支持双向导通,双向截止功能。INV100FQ030A 采用 4mmX6mm FCQFN 封装,无寄生二极管。在BMS系统应用的优势如下:

  • 可实现1颗VGaN替换2颗 NMOS

  • 导通电阻更低,发热减少,温升更低

  • 占板面积更小


方案优势

系统成本降低

16颗 VGaN 代替18对Si MOSFET(36颗 MOS),降低系统成本

整体面积减小

与 Si MOSFET 方案相比,功率部分开关管数量更少, PCB占板面积更小,节省物料成本以及减少系统重量

应用领域

英诺赛科48V/180A高边同口BMS驱动方案可应用于移动储能、电动车等系统中,如户外便携式储能、户外电源产品,电动两轮车、三轮车等,不仅能帮助终端产品降低温升和系统成本,实现小体积便携优势,还能通过充电和放电控制来优化电池使用寿命,提高电池安全性能。

英诺赛科已针对BMS系统分别推出了高边、低边多种方案,如需了解方案详情,请通过以下邮箱咨询:

黄女士:jiaxinhuang@innoscience.com

责编: 爱集微
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