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南麟电子两项单光子源相关专利获得发明专利证书

来源:爱集微

#南麟电子#

2022-12-08

集微网消息,上海南麟电子股份有限公司(以下简称:南麟电子)日前发布公告称,公司于近日收到中华人民共和国国家知识产权局颁发的两项《发明专利证书》。

其中一项专利名称为“基于量子点的单光子源及其制备方法”,专利号为ZL 2022 1 1112724.6。国家知识产权局的专利摘要显示,本发明提供一种基于量子点的单光子源及其制备方法,基于量子点的单光子源由下至上依次包括:基板、正电极、空穴注入层、内含硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点的三氧化二铝层、电子注入层及负电极;内含硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点的三氧化二铝层由三氧化二铝膜及分散于三氧化二铝膜中的硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点组成;硒化银/硫化银/硫硒化银核/壳/壳量子点由硒化银核、包覆在硒化银核表面的硫化银壳及包覆在硫化银壳表面的硫硒化银合金壳组成。本发明可获得超高纯度、可警示驱动过强、高效率、工作在通信波长内、背景噪声小以及环境友好的电驱动单光子源。

另一项专利名称为“基于电子掺杂量子点的单光子源及其制备方法”,利号为ZL 2022 1 1154587.2。国家知识产权局的专利摘要显示,本发明提供一种基于电子掺杂量子点的单光子源及其制备方法,基于电子掺杂量子点的单光子源依次包括:基板、下高反镜、内含电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点的二氧化硅层及上高反镜,以及安置于上高反镜垂直上方的油浸物镜、偏振分束器及激发激光器;内含电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点的二氧化硅层由二氧化硅膜及单个电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点组成;单个电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点包括直径小于4nm的掺杂了1个电子的硒化银核;激发激光器发射的光子能量与电子掺杂的硒化银核/复合壳量子点的禁带宽度相同。本发明可获得在室温下工作的超高纯度、高全同性、偏振方向确定、高效率、工作在通信波长内及环保的单光子源。

南麟电子在公告中指出,两项发明专利的取得体现了公司持续自主创新能力,有利于增强公司自有知识产权的保护力度,提升公司的核心竞争力。

(校对/王云朗)

责编: 李梅

赵月

作者

微信:zhaoyueyue117288

邮箱:zhaoyue@lunion.com.cn

作者简介

关注硅晶圆、存储、CIS、电源管理IC、驱动IC、专利诉讼等领域。微信号:zhaoyueyue117288

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