士兰微：士兰明镓SiC功率器件生产线初步通线，首个SiC器件芯片投片成功

集微网消息，10月24日，士兰微发布公告称，近期，士兰明镓SiC功率器件生产线已实现初步通线，首个SiC器件芯片已投片成功，首批投片产品各项参数指标达到设计要求，项目取得了阶段性进展。

士兰明镓正在加快后续设备的安装、调试，目标是在今年年底形成月产2000片6英寸SiC芯片的生产能力。公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发，性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上，参数指标较好，继续完成评测，即将向客户送样。

2017年12月18日，士兰微与厦门半导体投资集团有限公司在中国厦门共同签署了《关于化合物半导体项目之投资合作协议》（以下简称“《投资合作协议》”），双方合作在厦门市海沧区建设一条4/6吋兼容的化合物半导体生产线，总投资50亿元，其中一期总投资20亿元，二期总投资30亿元。根据《投资合作协议》，双方在厦门市海沧区共同投资设立了厦门士兰明镓化合物半导体有限公司（以下简称“士兰明镓”）。

截至2021年底，士兰明镓已完成第一期20亿元的投资，形成了每月7.2万片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的产能，其产品在小间距显示、miniLED显示屏、红外光耦、安防监控、车用LED等领域得到广泛应用。

士兰明镓已于2022年7月正式启动化合物半导体第二期建设项目，即“SiC功率器件生产线建设项目”。本项目计划投资15亿元，建设一条6吋SiC功率器件芯片生产线，最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能，其中SiC-MOSFET芯片12万片/年、SiC-SBD芯片2.4万片/年。

为加快项目的实施，公司已将士兰明镓“SiC功率器件生产线建设项目”作为公司2022年非公开发行股票预案的募投项目之一。在募集资金没有到位之前，公司将使用自有资金先行采购部分本项目急需或交货周期长的设备和系统。

作为第三代半导体材料的典型代表，SiC具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体器件材料。在新能源汽车领域，SiC功率半导体主要用于驱动和控制电机的逆变器、车载DC/DC转换器、车载充电器（OBC）等。车载充电器和充电桩使用SiC器件后将充分发挥高频、高温和高压三方面的优势，可实现充电系统高效化、小型化和高可靠性。

（校对/邓秋贤）