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中科院微电子研究所垂直沟道纳米晶体管研发工作获突破

来源:爱集微

#中科院#

#CMOS#

2022-08-26

集微网消息,近期,中科院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心朱慧珑研究员团队,在实现对栅极长度和位置精准控制的基础上,提出并研发出一种C型单晶纳米片沟道的新型垂直器件(VCNFET)以及与CMOS技术相兼容的“双面处理新工艺”。

据悉,其突出优势是沟道厚度及栅长/位置均由外延层薄膜厚度定义并可实现纳米级控制,为大规模制造高性能器件奠定基础,研制出的硅基器件亚阈值摆幅(SS)以及漏致势垒降低(DIBL)分别为61mV/dec和8mV/V,电流开关比高达6.28x109,电学性能优异。 

近日,该研究成果发表在电子器件领域著名期刊IEEE Electron Device Letters上,先导中心博士生肖忠睿为该文第一作者,朱慧珑研究员为通讯作者。 该研究得到科技部、中科院和北京超弦存储器研究院的项目资助。 (校对/韩秀荣)

责编: 韩秀荣

姜羽桐

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