8英寸硅基GaN龙头英诺赛科启动国际业务,增设美国硅谷及比利时办公室

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集微网消息,近日,中国8英寸硅基氮化镓(GaN)功率器件IDM厂商英诺赛科(Innoscience)宣布启动国际业务,通过在美国硅谷及比利时鲁汶增设设计及销售支持办公室,为客户提供更好的支持与服务。

英诺赛科于2015年在珠海成立,专注于8英寸硅基GaN的研发、生产与制造,核心技术包含外延、器件及工艺,现拥有珠海和苏州两大生产基地,同时在国内多个城市以及北美、欧洲均设立了应用和分销机构。其硅基GaN器件涵盖30V-650V产品,出货量已超过3500万个,广泛应用于USB PD充电器与适配器、数据中心、移动手机及LED驱动电源等多个领域。

TrendForce集邦咨询数据显示,英诺赛科2021年出货量市占率一举攀升至20%,跃升为全球GaN功率器件厂商第三名,主要受益于其高、低压GaN产品出货量大幅增长,其中,快充产品更首次进入一线笔电厂商供应链。与此同时,苏州8英寸晶圆厂已步入量产阶段,IDM模式优势将在GaN产业高速发展中逐步显现。目前英诺赛科正积极拓展其他领域应用例如Lidar、车载充电机(OBC)、LED电源等,丰富的产品组合将有望助其进一步扩大明年市占。

在8英寸硅基GaN核心技术上,英诺赛科优化了外延工艺,以获得均匀、可重复和坚固的8英寸硅基GaN外延片。此外,英诺赛科还优化了工艺技术,扩大了工艺窗口等,以此来获得可大规模量产的工艺及更高晶圆的利用率,开发具有高再现性和高良率的晶圆。

例如,英诺赛科在外延结构上加入了应力增强层,可在不影响阈值电压及漏电等其他参数的条件下,显著降低RDS(on)参数,从而开发高品质常关/E-mode GaN FET(氮化镓场效晶体管)。目前,其硅基GaN器件已通过了超越JEDEC(联合电子设备工程委员会)标准的质量和可靠性测试。

目前英诺赛科的产能为每月10000片8英寸晶圆,今年晚些时候将增加到14000片,预计到2025年将进一步增加至70000片。国际业务正式启动,表明英诺赛科将以更快的速度进军国际市场。未来,其GaN产品在全球市场的占有率有望进一步提升。

英诺赛科美国总经理Yi Sun表示,未来公司将更好地为美国的客户,尤其是旧金山湾区的客户服务。英诺赛科欧洲总经理Denis Marcon则表示,GaN的时机已成熟,公司已做好充分准备服务全球市场。在市场同类产品中,英诺赛科的产品可在价格上取胜;与此同时,在缺芯背景下,公司的产能也足以保障供货能力,满足客户的需求。未来,英诺赛科期待携手更多合作伙伴,共同推动GaN渗透全球电子行业。

预计英诺赛科两个办事处将在未来几个月和几年内迅速扩张,以战略性地支持欧洲和美国蓬勃发展的硅基GaN电源解决方案市场。(校对/思坦)

责编: 刘燚
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