【中国IC风云榜候选企业76】沛顿科技:深耕17年,练就存储芯片封装“硬”实力

来源:爱集微 #IC风云榜# #沛顿科技#
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【编者按】2022中国IC风云榜全新升级,在去年7大奖项的基础上扩展赛道,最终形成15大奖项。10月25日奖项申报已启动,目前征集与候选企业报道正如火如荼进行中。本次评选将由半导体投资联盟137家会员单位及400多位半导体行业CEO共同担任评选评委,奖项名单将于2022第三届半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼上揭晓。

本期候选企业:沛顿科技(深圳)有限公司(以下简称“沛顿科技”)

【参选奖项】中国IC风云榜年度优秀创新产品奖,年度技术突破奖

【参选产品】LPDDR4存储芯片封装技术

集微网消息,人工智能、物联网、云计算等热门话题渐次登台,各类电子化、智能化产品亦如过江之鲫,存储芯片作为上述产品的重要支撑,市场需求快速释放,已占据全球半导体市场的三分之一至四分之一。

面对国内外存储芯片“高速、低功耗、大容量”的发展趋势,“磨剑”17年的沛顿科技,或已迎来最佳时刻,凭借先发优势在存储芯片舞台上的声音愈加重要,参与产业布局的身影越发深刻。

科研+人才,打造存储领域“芯”技术

公开资料显示,2004年沛顿科技成立于深圳市福田区,专注高端存储芯片 (DRAM、NAND FLASH) 封装和测试服务,公司建立以来持续引进多套全球领先水平的封装和测试生产设备,且均为国内率先引进或独有,具备动态存储颗粒DDR5、DDR4、DDR3及LPDDR5、LPDDR4、LPDDR3和固态硬盘SSD的封装测试量产能力。

专注才能专业,才能做出在国内外市场上立得住脚的产品。近年来,沛顿科技先后完成POPt先进封装技术、FlipChip先进封装技术的研发、LPDDR5封装技术研发,及Bumping技术项目的整体规划。

其中,于2020年3月量产的LPDDR4存储芯片封装技术是其研发能力的重要“佐证”,也是本次参选“优秀创新产品奖”角逐的有力选手。LPDDR4存储芯片封装技术具有高性能、低功耗的优势,迄今为止销售超过5亿元,占据国内主要市场。据悉,LPDDR4 2D良率达到99.94%,LPDDR4 4D良率达到99.77%。该系列产品主要应用于手机、智能手表等消费类产品。

人才储备作为企业创新发展的引擎,沛顿科技持续深耕:截至目前,总员工数超过1800余人,研发人员占比达10%。其中,封装测试工程团队拥有丰富经验和技术储备,具备多种类型产品的封装方案和分析能力,可根据客户需求,提供多元化的测试方案开发及优化服务;2021年在人才招引方面同样收获颇丰,推动成立先进封装技术研发中心(APRC),聚焦先进封装技术规划,研发人员超100人。

此外,沛顿科技还联合产业界/学术界资源,进行前瞻封装技术预研,为未来发展提供指引。

聚焦四大业务板块,项目进展迅速

当前,沛顿科技以华南(深圳)、华东(合肥)两大基地为重要抓手,以“卓越品质,用心造芯”的理念,聚焦4大业务板块(DRAM/LPDRAM、FLASH、Embedded Memory、Logic),向着成为国内最大芯片封测企业的目标不断迈进。

10月27日,合肥沛顿存储首线设备搬入仪式举行,这是继今年6月底提前实现一期封顶目标后,项目建设再次取得的阶段性进展。预计达产后可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗,年封装NAND FLASH 3840万颗,年产内存模组3000万条的生产能力。

合肥沛顿存储作为沛顿科技在华东地区的运营基地,将配合国内主要客户,提供晶圆测试、封装测试、模组组装一条龙服务模式,预计在本月投产并形成有效产能。

今年9月,沛顿科技首席技术官何洪文博士以《存储芯片封装技术现状及进展》为题作演讲,谈及将继续探索“芯”技术,实现Bumping、3D TSV、WLCSP等先进技术的规划蓝图。

当前,沛顿科技凭借从DRAM芯片封装到内存模组组装实现终端产品的一站式服务,先进的自动化生产运作与支撑控制系统,及便捷高效的物流系统、强大的客户资源、雄厚的技术与完善的人才培养机制等多重优势,在国内存储封装领域占据较大市场规模。

在“国产替代”的趋势下,占据着半导体优势赛道的沛顿科技,在持续拓展的业务模式和日积跬步的技术创新中,有望成长为该领域舞台上的重要参与者、推动者。

欢迎四海八荒的能人志士加入沛顿科技,共创辉煌!

【奖项申报入口】

2022第三届半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼即将于12月在北京举办,奖项申报已启动,目前征集与候选企业报道正在进行中,欢迎报名参与。

【年度优秀创新产品奖】

旨在表彰有效解决卡脖子问题的优秀创新企业,促进完善国家集成电路产业链自立自强。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域,面向近一年内研发成功的创新产品;

 2、技术创新性强,具有自主知识产权,有效解决卡脖子问题,促进完善供应链自立自强并产生效益的创新产品。

【评选标准】

1、技术产品主要性能和指标(20%) 2、技术创新性(40%) 3、销售情况(40%)

【年度技术突破奖】

奖项旨在表彰技术不断创新迭代,攻克难关,实现产业技术创新突破,推动全球科技潮流向前迈进的企业。

【报名条件】

1、深耕半导体某一细分领域,2021年发布的新技术产品有重大技术突破,代表国际/国内先进水平;

2、产品应用范围广,市场反馈及前景良好,对全球/国内半导体产业的发展起到重要作用。

【评选标准】

1、技术产品主要性能和指标(30%)2、技术突破创新性(50%)3、市场应用(20%)

责编: 韩秀荣
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