长江存储“自对准四重图案及半导体器件的制造方法”专利获授权

集微网消息，国家知识产权局消息显示，长江存储科技有限责任公司“自对准四重图案及半导体器件的制造方法”专利获授权，授权公告日为8月10日。该专利申请号为2019111642264 ，授权公告号为CN110867369B。

图片来源：国知局

专利摘要显示，本发明涉及一种自对准四重图案和半导体器件的制造方法，包括：在目标刻蚀层上依次形成第二芯模层、第二抗反射层、第一芯模层和第一抗反射层，其中所述第一抗反射层相对于所述第二抗反射层有刻蚀选择性；刻蚀所述第一抗反射层和第一芯模层，形成第一芯模图案；在所述第一芯模图案上覆盖第一侧墙材料层；刻蚀水平方向的第一侧墙材料层及所述第一芯模图案以形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩模刻蚀所述第二抗反射层和所述第二芯模层，形成第二芯模图案；在所述第二芯模图案上覆盖第二侧墙材料层；以及刻蚀水平方向的第二侧墙材料层及所述第二芯模图案以形成位于所述目标刻蚀层上的第二侧墙。

据介绍，本发明可以改善线条边缘粗糙度和线宽粗糙度。（校对/图图）