5G引擎驱动，第三代半导体已是大势所趋

作者：朱秩磊

2019-09-04

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集微网消息（文/乐川）传统的硅基功率半导体器件及其材料已经满足不了当下行业对高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境及小型化功率半导体器件发展需求，且每取得一次突破都要付出高昂的代价。

所以，业界将目光转向了以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，它们具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，结合卓越的开关性能、温度稳定性和低电磁干扰（EMI），更适用于如太阳能逆变器、电源、电动汽车和工业动力等下一代电源转换。

在IC China 2019化合物半导体产业趋势论坛上，来自浙江大学电气工程学院的院长盛况，苏州纳维科技有限公司董事长徐科，中微半导体公司副总裁MOCVD事业部总经理郭世平，苏州能讯高能半导体有限公司董事总经理任勉，英诺赛科科技有限公司董事长骆薇薇，Qorvo应用市场总监黄靖，华南理工大学教授、博士李国强，工业和信息化部软件和微电子促进中心专家余山等企业和专家代表畅谈了中国化合物半导体产业的发展态势以及挑战。

嘉宾指出，化合物半导体以不同于硅材料等传统半导体的物理特性，拥有高频、高功率、抗高温、抗高辐射、光电性能优异等特点，特别适合于制造射频通信器件、光电子器件、电力电子器件等，在现今最火热的5G通信、新能源等市场具有明确而可观的市场前景，是半导体产业重要的发展方向。

为此，各主要国家政府高度重视化合物半导体技术发展，国际龙头企业更是加速布局，争相抢占技术和市场制高点。我国是全球最大的化合物半导体应用市场，已经在5G、新能源应用领域取得国际瞩目的成绩。未来，我国在化合物半导体应用市场的优势将驱动产业上游环节提质增效发展，为全球企业提供重要发展机遇。（校对/木棉）

责编：慕容素娟

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