明年7月将投产!长飞先进200亿元武汉基地首栋建筑封顶

作者: 依然
05-10 15:36 {{format_view(9731)}}
相关舆情
AI解读
生成海报
明年7月将投产!长飞先进200亿元武汉基地首栋建筑封顶

中国光谷5月10日消息显示,长飞先进武汉基地项目首栋宿舍楼日前提前封顶。这标志着,该项目进入投产倒计时,预计于今年6月全面封顶,明年7月投产。该项目建成后,将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。

长飞先进武汉基地项目位于武汉新城中心片区,由长飞先进半导体(武汉)有限公司出资建设,总投资预计超过200亿元。该项目主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产,应用范围可覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域。项目达产后,预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块。

2023年9月1日,长飞先进半导体武汉基地开工仪式在武汉新城举行,当时消息显示,一期项目预计2025年建设完成。

据悉,该项目占地面积约22.94万平方米,建筑面积约30.15万平方米,主要建设内容包括芯片厂房、封装厂房、外延厂房、动力厂房、成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等,建设周期为578日历天。(校对/韩秀荣)

责编: 韩秀荣
长飞先进

热门评论

【集微发布】中国芯上市公司并购项目:并购总额增长超7倍 溢价率却明显下降