台积电3nm将于明年商用 豪掷2326亿元在美增6座工厂!

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处在“风暴眼”位置的全球芯片代工龙头台积电,不仅在3nm再度先下一程,赴美建厂事宜也有了最新进展。

近日台积电董事长刘德音对外官宣3nm工艺研发进度。刘德音表示,新工艺研发不仅一切顺利,甚至比预期还要快,其3nm工艺在2022年就可进行商用。不过值得一提的是,台积电3nm技术仍采用FinFET结构,而三星的3nm技术将率先升级GAA技术。

此外,据台积电被曝光的内部信确认,将投资约2326亿元在美国新开设6个工厂,地点位于美国的亚利桑那州,以实现建设超大型晶圆厂的目标。按照此前的消息披露,工厂为5nm的12英寸晶圆厂,将从2021年开始建设,预计2024年进行投产。

虽然台积电花费大手笔在美国投资建厂,但最新技术仍会有所保留。据了解,台积电已实现5nm芯片量产,预计明年可以完成3nm芯片的量产。但无论如何,这或提升美半导体制造实力,从而减少对外依赖。

虽然美意识到重振半导体制造的重要性,频频采取措施助力制造“回暖”。但据金十数据引业内人士分析认为,美国希望芯片制造业回流,并非加大对芯片行业投资就可解决,配套的产业链、数量充沛和素质合格的产业从业人员才是关键,这些恰恰是美难以解决的问题。而且,随着国外竞争对手谋求崛起,美重振半导体制造业仍面临诸多竞争。(校对/nanana)

责编: 慕容素娟
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