又一第三代半导体项目，纳维科技将在苏州打造国际前三的氮化镓单晶衬底研发基地

集微网消息，1月24日，苏州纳维科技有限公司（以下简称“纳维科技”）总部大楼奠基仪式在苏州纳米城举行。

图片来源：苏州纳米城

项目占地面积超14000平方米，总建筑面积超34000平方米，将建设成为国际前三的氮化镓（GaN）单晶衬底研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

据苏州纳米城消息，该公司实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸产品的关键核心技术，成为国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导电、半绝缘氮化镓单晶的企业，产品性能国际领先，并先后获得苏州市首届姑苏双创人才、园区首批科技领军人才企业等荣誉。

纳维科技董事长徐科表示，“我们将一如既往、继续深耕细作，努力实践每亩200万元税收的先行先试，打造出国际前三的GaN单晶衬底的研发基地与高端产品生产基地！”

目前，苏州工业园区已培育了纳维科技等一批创新势头强劲的企业，第三代半导体上、中、下游产业链规模初显；集聚了全国80%的氮化镓领域“国家级重点人才”，掌握了一批核心自主知识产权，已成为国内最具影响力的人才和技术高地。（校对/若冰）