英诺赛科荣获2021中国IC风云榜“年度IC独角兽奖”

集微网消息，1月16日，2021半导体投资联盟年会暨中国IC 风云榜颁奖典礼在北京举办。英诺赛科（珠海）科技有限公司（简称：英诺赛科）荣获2021中国IC风云榜“年度IC独角兽奖”。

该公司的获奖理由为致力于第三代半导体硅基氮化镓材料和器件的设计开发与大规模制造，在世界上首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产。并成功解决了化合物半导体材料尺寸小、晶圆制造良率低、产能小、工艺不稳定的产业化技术瓶颈，填补了国内外在该领域的空白。

“2021中国IC 风云榜”评选由半导体投资联盟129家会员单位及400多位半导体行业CEO共同担任评选评委，经过2个月的奖项报名征集和候选企业评选得以选出。

“年度IC独角兽奖”的评选标准：

1.深耕半导体某一细分领域，形成了显著的竞争优势，具备重大的创新能力，在细分市场占有率占据国内乃至国际前列，或未来有重大突破的实力公司；

2.估值超过10亿美元（或等值60亿人民币）的未上市公司。

英诺赛科于2017年成立，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与生产的高科技企业。英诺赛科采用IDM模式，集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体，成功打造硅基氮化镓全产业链平台，产品涵盖30-900V功率半导体器件，IC及射频器件。英诺赛科30V-650V硅基氮化镓系列芯片产品已陆续推出并实现量产，为世界上唯一能够同时量产低压和高压硅基氮化镓芯片的企业。

英诺赛科与浪潮、小米、OPPO、大疆、比亚迪、禾赛科技、安森美、MPS 等国内外厂商开展深入合作，功率芯片和射频芯片的应用开发。基于公司氮化镓高压芯片的大功率、小型化手机快充已经全面推向市场，英诺赛科成为中国唯一一家提供手机快充氮化镓芯片的企业，打破了美国公司氮化镓快充芯片在该领域的垄断局面，公司“InnoGaN”氮化镓功率器件产品出货已达数百万颗。

英诺赛科低压氮化镓产品已取代美国EPC 公司产品，成为中国领先的激光雷达企业禾赛科技的供应商，实现国产替代。

此外，英诺赛科已成功开发出应用于数据中心的低压氮化镓电源管理芯片产品，可取代原有硅器件，大幅度提升系统效率，降低能耗及运营成本。

英诺赛科与中国最为知名的5G射频基站提供商开展广泛战略合作，积极开展应用于5G 基站的硅基氮化镓射频芯片开发，并计划于2021 年开始小批量生产，逐步实现5G 应用领域射频器件国产化。

英诺赛科结合德国爱思强MOCVD（G5+）和8英寸CMOS兼容晶圆制造线，解决了化合物半导体晶圆制造良率低、产能小、工艺不稳定的产业化技术瓶颈，成功实现了8英寸硅基氮化镓器件的大规模量产。

此外，英诺赛科采用IDM全产业链模式，成功搭建了8英寸硅基氮化镓全产业链平台，内容涵盖研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析。公司通过自主研发，攻克了8英寸硅晶圆衬底上外延生长氮化镓单晶材料的世界级难题，在世界上首次实现了8英寸硅基氮化镓材料与器件的大规模量产，同时填补了国内在该领域的空白。

值得一提的是，英诺赛科在全球范围内首次成功实现8英寸硅基氮化镓量产技术，技术全球领先。该量产技术为国内首次实现，解决了国家在第三代半导体领域卡脖子问题，实现了零的突破。英诺赛科产品均具有自主核心知识产权，截止到目前，英诺赛科已申请国内外核心专利超过250项。

中国IC风云榜，旨在鼓励和表彰在过去一年中，在半导体技术创新和产品设计制造、行业资本管理及运作、产业链上下游集群建设等方面作出突出贡献的优秀企业和投资机构，进而提升增强我国半导体产业的竞争力！

（校对/holly）