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兆易创新薛霆:新成熟工艺下的SPI NOR和SLC NAND

James·2020-12-14·概念股  来源: 爱集微

集微网消息,据数据统计,2018年进口半导体金额为3800多亿,其中近三分之一来源于存储器产品,其中大部分都是从韩国厂商进口的。近两年,在国家政策的扶持以及厂商自研芯片的热潮下,逐渐有了起色,国内存储厂商,如兆易创新等不断向存储市场更广的领域布局。

12月10-11日,在第26届中国集成电路设计业2020年会暨重庆集成电路产业创新发展高峰论坛(ICCAD 2020)在重庆召开,兆易创新受邀参加此次ICCAD,兆易创新FLASH BU市场部经理薛霆发表了《新成熟工艺下的SPI NOR和SLC NAND》的演讲。

兆易创新存储事业部市场经理薛霆

据悉,兆易创新成立于2005,是一家领先的无晶圆厂半导体公司,致力于开发先进的存储器技术和IC解决方案。在2016年上市后,兆易创新凭借自身的不断开拓和资本的力量,发展成为集存储器、微控制器、传感器于一体的领先的半导体解决方案供应商。

据了解,目前兆易创新的存储器产品主要分为SPI NOR、SLC NAND和DRAM。NOR是代码型存储芯片,这也是兆易创新第一颗产品,SLC NAND是数据型存储芯片,DRAM是更高级别的系统级存储芯片

存储业务发展迅猛

上市次年,国家大基金入股兆易创新并成为其第二大股东,同年10月,兆易创新与合肥产投签订先进DRAM合作项目,DRAM业务开始。

近年来,随着TWS耳机、物联网等新兴应用领域发展,让低功耗、高性价比NOR Flash产品受到下游应用的青睐。而在赛普拉斯和美光于2017年转向工控和汽车领域后,兆易创新等本土企业的存储业务实现了快速增长。

2019年,兆易创新业绩取得重大突破,实现营收32.03亿,相比前年增长近10亿元。出货量方面,兆易创新在SPI NOR Flash领域全球排名第三,Flash累计出货超130亿颗;32-bit ARM® Cortex® MCU 累计出货超4亿颗。

值得一提的是,在SPI NOR Flash领域,兆易创新的全球市场份额连续7年占据前三。据Web-Feet Research数据显示,2018年兆易创新的SPI NOR Flash全球市场份额为14.2%,到了2019年,兆易创新的市占率提高至17.2%。

新成熟工艺下的SPI NOR和SLC NAND

从2008年,兆易创新推出国内首款180nm SPI NOR FLASH至今,其NOR FLASH产品已经历了多次迭代发展。2013年,兆易推出国内首款65nm SPI NOR FLASH;随后,兆易创新在2019年推出国内首款55nm SPI NOR FLASH。

55nm SPI NOR相对于65nm产品的优势主要有三方面:性能更高,可支持的最大频率提高80%;功耗更低,读功耗更低,最低可降低50%;封装更小,同等容量,可支持更小的封装。

目前,兆易创新SPI NOR Flash® 产品路线图按电压等级可分为1.2V、1.65V~3.6V、1.8V和3V,产品容量覆盖了512K~2Gb范围。

薛霆认为,SPI NOR Flash的发展趋势将朝着高性能、低功耗、高安全性和小封装方向发展。兆易创新的高性能产品包含LF/F 、LT/T 以及LX/X 等支持DTR功能的产品系列。值得一提的是,LX/X 系列的Throughput(带宽)最高可达400MB/s。低功耗产品有LE系列、WD/WQ 系列和UE 系列;高安全性方面有LR/R 系列;小封装有USON8和WLCSP等。

在NAND产品方面,2020年,兆易创新取得了重要突破,量产24nm工艺节点的4Gb SPI NAND Flash产品,实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化。24nm SLC NAND新成熟工艺相比38nm工艺产品而言,Die Size显著缩小,成本更优化,一次性缓存数据量更多。

在产品不断迭代发展背后,是兆易创新百人级规模工艺研发人员的不断努力。据薛霆表示,“55nm SPI NOR开发3年,24nm SLC NAND开发4年,投入了大量的研发资源,在不断的打磨和工艺验证中,兆易创新用高于JEDEC标准的量产要求以保证产品的可靠稳定。”

兆易创新SLC NAND FLASH产品路线路按接口类型可分为SPI Interface GD5Fx和ONFI Interface GD9Fx系列,产品容量覆盖了1Gb~8Gb范围且全系列支持1.8V和3.3V两种电压范围。目前,24nm新工艺的4Gb和8Gb产品已量产,同时正开发1Gb和2Gb相对应的SLC NAND产品。

(校对/Arden)

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