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明年年中量产!SK海力士开发出176层NAND Flash

holly·2020-12-07·IC  来源: 爱集微

集微网消息,据韩联社报道,SK海力士今日宣布,已成功开发出176层4D NAND闪存,这是该公司第三代4D NAND产品。

图源:韩联社

SK海力士称,该产品与上一代128层产品相比,位元生产率提高了35%以上,从而增强了成本竞争力。

另外,该产品采用了新的“两段式单元区域选择技术”,单元读取速度比上一代提高了20%,数据传输速率提高了33%,并实现了每秒1.6Gb的传输速度。

据悉,SK海力士上月已送样给控制器厂商,计划明年年中开始量产。

该公司自2018年开发96层NAND Flash以来,一直致力于堆叠更多层数的技术升级。它的4D NAND结合PUC(Peri Under Cell)技术和CTF(电荷撷取)架构设计,以最大化空间效能。

(校对/零叁)

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