三星“抄底”存储芯片，增加产能欲扩大领先优势

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集微网消息，据韩国时报报道，尽管存储行业受疫情影响小于其他行业，但消费产品仍受到负面影响，外界对前景产生担忧。

而三星正利用这一时期扩大领先优势，三星计划明年将DRAM、闪存和代工芯片的月晶圆产能分别扩大3万、6万和2万片。

一位投资经理表示，明年全年DRAM和NAND的供应将严重不足，从而导致价格和利润回升。三星在这方面显示出非常有吸引力的风险回报。

他进一步表示，三星正在与零部件供应商进行讨论，确保在下订单之前解决任何潜在问题。

三星在京畿道平泽工厂将在处理新增产能方面发挥核心作用。在最近公布的三季度业绩电话会议上，三星表示随着存储芯片库存水平的合理调整，公司收到了更多服务器芯片订单，预计将出现转机。

NH Investment分析师Do Hyun-woo表示，三星将积极生产NAND闪存芯片，而在DRAM方面保持保守离场。考虑到代工芯片的短缺，三星明年将向平泽和美国奧斯汀的工厂投资至少10万亿韩元。

三星对NAND闪存芯片业务的需求之所以上升，是因为目前的DRAM技术能否在小于1nm的产品中维持存储能力越来越令人质疑。虽然NAND芯片在10-20nm的层面上很快将面临挑战，但三星相信随着EUV技术推进制造工艺，NAND芯片在密度和成本改善方面处于优势地位。

（校对/零叁）