2020全球电子成就奖新鲜出炉，兆易创新再添两项桂冠

掌声不要停，兆易创新又双叒叕捧回大奖了！今天，在翘楚云集的ASPENCORE“全球双峰会暨全球电子成就奖颁奖典礼”上，兆易创新旗下全国产化的24nm SPI NAND Flash GD5F4GM5赢得“年度存储器/放大器/数据转换器”产品奖；基于全新Arm® Cortex®-M33内核的GD32E5系列高性能微控制器，斩获“年度微控制器/接口”产品奖。

“全球电子成就奖”由电子技术领域最大媒体集团ASPENCORE主办，旨在聚焦领先科技，推动全球范围内的电子产业技术革新。整个评选历时数月，需经过申报、提名、网上投票、全球专家评审等层层筛选。能获得全球电子成就奖的表彰，是一项备受认可的荣誉，充分体现了该技术或产品在业界的领先地位与不凡表现。兆易创新作为领先的Fabless芯片供应商，已经连续多年荣登该榜单，自主创新能力、产品技术实力屡获称赞。

本次荣获“年度存储器/放大器/数据转换器”大奖的GD5F4GM5系列，是兆易创新推出的全国产化24nm SPI NAND Flash产品，容量高达4Gb，实现了从设计研发、生产制造到封装测试所有环节的纯国产化和自主化，并已成功量产，标志着国内SLC NAND Flash产品正式迈入24nm先进制程工艺时代。该产品采用串行SPI接口，引脚少、封装尺寸小，在集成了存储阵列和控制器的同时，还带有内部ECC纠错算法，擦写次数可达5万次，提高可靠性的同时延长产品使用寿命。

相比于上一代NAND产品，该系列大大提升了读写速度，最高时钟频率达到120MHz，数据吞吐量可达480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供电电压，同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择，致力于为5G、物联网、网通、安防，以及包括可穿戴式设备在内的消费类应用场景提供大容量、具备成本优势的解决方案。

斩获“年度微控制器/接口”产品奖的GD32E5系列MCU，是中国首颗基于Arm® Cortex®-M33内核的高性能微控制器。该系列MCU采用台积电低功耗40nm嵌入式闪存工艺构建，处理器主频最高可达180MHz，配备了128KB到512KB的Flash及80KB到128KB的SRAM。芯片采用1.7V-3.6V供电，I/O口可承受5V电平。内置的电源管理单元更加优化并提供了5种全新省电模式，最高主频所有外设全速运行模式下的工作电流仅为332µA/MHz。GD32E5内置了全新的超高精度定时器(SHRTimer)，内部拥有5个独立的计数器，可以产生5组2路带死区互补输出的PWM控制信号，频率最高可达11.5GHz，分辨率最快仅为90ps。

GD32E5系列MCU具备业界领先的处理能力、功耗效率、连接特性和更经济的开发成本，进一步推动嵌入式开发向高精度工业控制领域扩展，解决数字电源、电机变频、测量仪器、混合信号处理、高端消费类应用等多种功能集成和工作负载需求。

过往成绩，只是序章，行稳致远，未来可期。今年是兆易创新创立15周年。自成立以来，兆易创新不断加大研发投入，以积极的技术战略、出色的产品实力、丰富的行业应用，获得了业界的广泛认可。接下来，兆易创新将继续加大创“芯”力度，致力于构建以存储器、微控制器和传感器三大业务板块为核心驱动力的完整生态，为工业、汽车、计算、消费电子、物联网、移动应用以及通信领域的客户提供完善的产品技术和服务。