台基股份：公司关注第三代半导体技术 目前尚无可量产产品发布

集微网消息 9月7日，台基股份接受投资者提问时表示，电力电子技术日新月异、发展很快，公司跟踪和研发以SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）为代表的第三代宽禁带半导体材料和器件技术，提升核心竞争力，促进公司战略发展。

对于公司的第三代半导体芯片技术完全超越了美国的英特尔和AMD的消息，台基股份称传闻不属实，公司及客户特别关注第三代半导体产品的研发和应用，但目前尚无可量产的产品发布。

目前，台基股份主营业务为功率半导体器件，服务于电力电子各个门类和应用领域，自主设计、制造、销售及服务，采用垂直整合（IDM）一体化模式（晶圆+芯片+封装）。

第三代半导体即氮化镓（Gan），由于GaN的禁带宽度较大，利用GaN可以获得更大带宽、更大放大器增益、尺寸更小的半导体器件。GaN器件可以分为射频器件和电力电子器件。GaN的射频器件包括PA、MIMO等面向基站卫星、雷达市场。电力电子器件产品包括SBD、FET等面向无线充电、电源开关等市场。

通过技术创新，台基股份积累了完整的具有自有知识产权的半导体产品设计和制造技术，掌握完整的前道（晶圆制程）技术、中道（芯片制程）技术、后道（封装测试）技术。公司拥有48项专利技术（其中9项发明专利）和多项专有技术。

近几年，台基股份主持和参与起草国家或行业标准17项，公司建有3个省级科研平台和1个国家级科研平台。如今，台基股份大功率IGBT已经量产，并积极开展产学研合作，持续跟踪SiC、GaN等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。（校对/Lee）