从65纳米到50纳米，武汉新芯闪存技术跃升用了18个月？

集微网消息（文/图图）据湖北日报报道，6月4日，武汉新芯集成电路制造有限公司（简称“武汉新芯”）透露，其自主研发的50纳米浮栅式代码型闪存（SPI NOR Flash）芯片已全线量产。量产产品为宽电源电压产品系列XM25QWxxC，容量覆盖16兆到256兆。

据悉，武汉新芯50纳米闪存技术于2019年12月取得突破，随后投入量产准备。从65纳米到50纳米的跃升，武汉新芯用了18个月。在全球NOR Flash存储芯片领域，业界通用技术为65纳米。武汉新芯新一代50纳米技术，无论是存储单元面积还是存储密度，均达到国际先进水平。

湖北日报报道指出，武汉新芯运营中心副总裁孙鹏表示，对此次研发而言，最难的挑战是速度、功耗和可靠性。随着50纳米NOR闪存的重大突破，武汉新芯将在性能和成本上进一步提高竞争力。

据集微网5月报道，武汉新芯宣布与乐鑫科技达成长期战略合作。双方将围绕物联网应用市场领域，在物联网和存储器芯片产品与应用方案开发方面展开全方位的合作，助力创新产品开发，满足市场不断增长的新需求，为合作创造更大的商业价值。（校对/小北）