投资65.6亿元新台币!南亚科将建造10纳米试产线

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集微网消息(文/holly),据台媒经济日报报道,内存大厂南亚科董事会今天决议追加65.6亿元新台币资本支出预算,用来建造10纳米制程试产线。

据此前集微网报道,南亚科总经理李培瑛今年1月份宣布,已完成自主研发10纳米级DRAM技术,将在今年下半年试产。

李培瑛表示,南亚科已成功开发出10纳米DRAM新型存储器生产技术,使DRAM产品可持续微缩至少三个时代。第一代的10纳米前导产品8GB DDR4、LPDDR4及DDR5将建构在自主制程技术及产品技术平台,2020下半年后将进入产品试产。

第二代10纳米制程技术已开始研发阶段,预计2022年前导入试产,后续会开发第三代10纳米制程技术。他强调,南亚科进入10纳米制程之后,会以自行研发的技术为主,降低授权费用支出,能大幅提升效能。

据悉,全球DRAM内存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中,他们的份额高达95%以上,关键原因就在于这三家的技术专利形成了极高的门槛,其他公司突围起来很难。

南亚科现在以20纳米技术为主力,技术来源为美光。随着南亚科10纳米制程导入自主技术,意味未来不再仰赖美光授权,每一颗产品都是公司自行开发,摆脱数十年来技术长期依赖国际大厂的状况,免除动辄上百亿元的授权费用,包袱大减。

(校对/ Jurnan )


责编: 刘燚
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