南京江北新添SiC及检测设备新实力，超芯星、中安半导体签约落户

集微网消息（文/小如）3月30日，南京江北新区举行“芯片之城”地标产业签约仪式。

图片来源：南京江北新区

活动中，超芯星半导体项目和中安半导体项目与江北新区签约，未来将落户江北新区研创园。

其中，江苏超芯星半导体有限公司主要从事6-8英寸SiC碳化硅芯片衬底研发及产业化，目前该公司已推出大尺寸碳化硅扩径晶体，实现厚度突破，属于技术领先的第三代半导体产品。总部迁入研创园后将推动上市计划，项目规划三年实现6英寸碳化硅衬底年产3万片，未来还将在SiC衬底产品的基础上，进一步研发SiC切磨抛工艺，打造国内SiC行业标杆企业。

中安半导体是半导体材料检测设备研发商，项目团队拥有硅片检测核心技术。此次项目主要是开发半导体硅片平整度和三维形貌检测设备，从事开发200mm和300mm硅片平整度和三维形貌检测设备，目前已获得金茂资本首期风险投资，未来将通过开发拥有独立知识产权和中国专利的硅片平整度及形状测量设备填补国内半导体产业链的一项空白。

目前，南京江北新区的集成电路产业以台积电等龙头项目为支撑，以紫光展锐、Arm、Synopsys等顶尖芯片设计企业为引领，以现有集成电路企业为基础，构建IC设计为引领的集成电路完整产业链，力争在今年形成以芯片设计为核心的集成电路千亿级产业集群。（校对/小北）