集微网消息(文/木棉)据长鑫存储官网消息,长鑫公布了新款内存的外观和参数。
根据官网清单列出的长鑫的笔记本和台式机内存,容量都是8GB,速率都是DDR4-2666,电压为1.2V,时序未知。
据介绍,DDR4模组是第四代高速模组,相较于DDR3模组,性能和带宽显著提升,最高速率可达3200Mbps。DDR4模组是目前内存市场主流产品,可服务于个人电脑和服务器等传统市场,以及人工智能和物联网等新兴市场。
去年底就有消息称,长鑫存储已经开始使用19纳米制造技术生产DDR4内存。此外,长鑫存储已经制定了至少两个10纳米级制造工艺的路线图,并计划在未来生产所有类型的DRAM。
除此之外,为了提升产量,该公司还计划建造另外两座晶圆厂。作为中国的DRAM新锐厂,其有望支撑起未来本土的一部分DRAM需求。(校对/ Jurnan )