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SK海力士等大厂推新制程产品,瞄准存储器市场反弹

芯科技·10-22 16:19·IC  来源: 芯科技

芯科技消息(文/西卡)面对存储器半导体产业低迷,三星电子、SK海力士、美光企图通过新旧世代的产品交替,克服危机。

据韩国科技媒体《DDaily》报道,仅距离SK海力士第2代10纳米级制程(1y nm)11个月,SK海力士再有新进展,成功开发第3代10纳米级制程(1z nm)的16Gb(Gigabit) DDR4 DRAM。

SK海力士表示,1z nm生产效率比前一代高出27%,且使用过去没有加入的新原料,成功最大化DRAM的静电容量。外界期待,未来1z nm制程将扩大应用在新一代移动DRAM“LP DDR5”与高速DRAM “HBM 3”上。

10纳米为10亿分之1米,10纳米级的DRAM制程分为1代(1x)、2代(1y)与3代(1z),x为后段制程,再逐渐发展到中段y制程,最后才是前段的z制程。但这些制程没有一个公定标准,因此每间制造公司的规格会有所差异,1z制程约在14~16纳米左右。

与NAND闪存不同的是,DRAM需要制作电容器,比较难堆叠芯片层数,因此制造商大多只能以减少电路间距的方式,提高性能、效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压,以及增加每个硅片的DRAM产量,这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。

日前三星电子、美光相继成功开发1z工程。三星电子于3月完成1z DRAM的开发,并从9月开始量产,虽然仍使用氩氟(ArF)曝光设备,但年底前有望引进极紫外光(EUV)微影技术。

美光也在8月宣布量产1z制程的16Gb DDR 4DRAM。美光认为,提高电脑用DDR4 DRAM、移动用DRAM(LPDDR4),以及图形用DRAM(GDDR6)技术,对事业有很大的帮助。

整体看来,虽然存储器半导体市况尚未好转,但《DDaily》指出,各大制造商打算以通过技术差距来扭转现况。外界期待,企业完成1z制程产品后,有望消弥外在不确定因素,迎来新的全盛时期,增加收益。

业界相关人士分析,不论针对长期、短期,存储器企业提高技术都是相当正面的消息,该技术有机会成扭转市场的契机。

图片来源:wikipedia

(校对/holly)

*集微网拥有“芯科技”内容的专有使用权,未经许可,严禁转载。

编辑:妮儿
责编: 芯科技

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