已推进到10nm级别，长鑫存储谈未来DRAM技术之路

集微网消息（文/小如）9月19日，在深圳举办的中国闪存技术峰会上，长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士进行了《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲。

平尔萱博士表示，随着数据量的增加，数据处理能力就需要相应的加强，因此需要更强大的CPU，同时存储器的数据容量、读写速度也需要加强。因此近年来对DRAM的要求也在持续提高。

今年5月15日，长鑫存储董事长兼CEO朱一明曾表示，从技术来源角度，合肥长鑫与奇梦达合作，并结合了长鑫自己的技术。通过与奇梦达合作，将一千多万份有关DRAM的技术文件（约2.8TB数据）收归囊中。

在此次会议上，平尔萱博士对奇梦达DRAM也有提及。他表示，在DRAM技术的演进过程中，曾经的DRAM巨头奇梦达提出的埋入式电栅三极管概念给整个产业带来了巨大的贡献。

DRAM技术在发明之后的几十年里，经历了从平面结构向空间争取表面积的沟槽式电容及堆叠式电容的架构。

而奇梦达DRAM技术也是利用空间，将三极管的性能提升，这种提升随着线宽的减少越来越重要。此外，近代DRAM产品也都沿用了这个概念。

在谈到DRAM技术未来发展时，平尔萱博士表示，DRAM是有极限的，通过改进可以将极限推迟，例如导入EUV及HKMG三极管以缩小线宽及加强外围电路性能。此外，EUV主要是针对阵列，外围线路的增强及微缩也是近来DRAM技术发展的另一个机会。

平尔萱博士也强调，继续推进DRAM技术的发展，还需要在新材料、新架构上进行更多探索，也需要加强与其他企业的合作。回顾过去几十年的DRAM发展，证明IDM是发展DRAM的必然选择，而这正是长鑫存储从一开始建立就坚持的。

此外，长鑫存储借助先进的设备已经把将奇梦达的46纳米DRAM推进到了10纳米级别。（校对/小北）